[发明专利]基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法有效
申请号: | 201410758476.1 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN104360583B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 劝圣勋;郑收恩;李昇娥;张志诚;韩相权 | 申请(专利权)人: | 首尔大学校产学协力团 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,张旭东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 图像 处理 光刻 系统 目标 对象 方法 | ||
本申请是申请日为2010年9月29日、申请号为201080043931.X、国际申请号为PCT/KR2010/006602、发明名称为“基于图像处理的光刻系统和目标对象涂覆方法”的原案申请的分案申请。
技术领域
本公开一般地涉及光刻系统,并且更具体地,涉及基于图像处理的光刻系统和涂覆目标对象的方法。
背景技术
光刻系统是用于在基板上形成想要的图案的设备。使用光刻系统的曝光工艺是半导体工艺的必要部分。可以使用曝光工艺在基板上形成想要的图案。为了在基板上形成想要的图案,可以采用其上形成图案的光掩模。由于形成在光掩模上的图案被固定为特定图案,因此为了在基板上形成新的图案,光掩模应该被替换为新的光掩模。在半导体工艺中,光掩模的频繁改变会导致制造成本的增加和产率的降低。因此,需要性价比高并且高产的新光刻系统。
另外,对于小型芯片来说性价比高的封装(例如,涂覆)工艺显著地影响着集成电路(IC)产业。现在,商用的射频识别(RFID)和发光器件(LED)具有大约200μm或更小的芯片尺寸。拾放技术正在应用于小型芯片的生产。随着在单个半导体晶圆上制造的芯片的数目的增加,拾放技术导致了较低的处理速度、较低的产率和较高的成本。因此,需要性价比高并且增加处理速度和产率的新工艺。
发明内容
[技术方案]
根据示例性实施方式,公开了一种光刻系统。该光刻系统包括:布置在基板上的至少一个目标对象;处理器,该处理器被构造为处理目标对象的图像并且确定用于目标对象的涂覆层的光学图案;以及曝光设备,该曝光设备被构造为将由处理器确定的光学图案提供给基板。
根据另一示例性实施方式,提供了一种涂覆目标对象的方法。该方法包括:制备基板,该基板的一个表面上布置有至少一个目标对象;通过处理目标对象的图像确定用于目标对象的涂覆层的光学图案;以及将具有确定的光学图案的光提供到基板。
根据另一示例性实施方式,提供了一种涂覆目标对象的方法。该方法包括:制备基板,该基板的一个表面上布置有至少一个目标对象;在目标对象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂;通过处理目标对象的图像形成用于目标对象的涂覆层的周壁;以及将树脂提供到由周壁围绕的目标对象的表面的至少部分区域和基板。
根据另一示例性实施方式,提供一种涂覆芯片的方法。该方法包括:制备布置在柔性基板上的多个芯片,该多个芯片具有在基板上的第一排列结构;通过使柔性基板发生形变来使第一排列结构变为第二排列结构;在多个芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂;以及通过将光致抗蚀剂选择性地暴露于光来在多个芯片的表面上形成第一涂覆层。该第一涂覆层是固化的光致抗蚀剂。
根据另一示例性实施方式,提供了一种芯片涂覆系统。该系统包括:柔性基板,在该柔性基板的一个表面上布置有具有第一排列结构的多个芯片;固定件,该固定件连接到柔性基板并且被构造为使柔性基板发生形变以将第一排列结构转换为第二排列结构;第一涂覆器,该第一涂覆器被构造为能够在多个芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蚀剂;以及光刻系统,该光刻系统被构造为能够通过选将光致抗蚀剂择性地暴露于光来在多个芯片的表面上形成涂覆层。该涂覆层是固化的光致抗蚀剂。
上述部分构成下面详细描述的主题的在某种程度上简化的摘要。这些部分不意在指定本发明的主要或必要特征或者限制所附权利要求的范围。
附图说明
图1是根据示例性实施方式的光刻系统的图;
图2是根据示例性实施方式的基于图像处理的曝光系统的图;
图3是示出根据示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的流程图;
图4的(a)至6的(c)是示出根据示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的图;
图7的(a)和7的(b)是包括使用参考图4的(a)至6的(c)描述的涂覆目标对象的方法形成的涂覆层的目标对象的截面图;
图8是示出根据另一示例性实施方式涂覆目标对象的方法的流程图;
图9的(a)至13是示出根据另一示例性实施方式的涂覆目标对象的方法的图;
图14是包括使用在上面参考图9的(a)至13描述的涂覆目标对象的方法形成的涂覆层的目标对象的图;
图15是示出根据示例性实施方式的涂覆芯片的方法的流程图;
图16的(a)至22的(b)是示出根据示例性实施方式的涂覆芯片的方法中的各处理的图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔大学校产学协力团,未经首尔大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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