[发明专利]等离子体处理装置以及聚焦环

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置以及聚焦环。

背景技术

以往，在等离子体处理装置中，在配置于腔室内部的载置台上载置被处理体。在载置台上，以包围被载置于载置面的被处理体的方式设有聚焦环。作为这种聚焦环，例如已知有如下聚焦环，该聚焦环自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置台的载置面低的第1平坦部、以及比第1平坦部和被处理体的被处理面高的第2平坦部。

专利文献1：日本注册实用新案第3166974号公报

然而，在上述现有技术中，未考虑到倾斜伴随着聚焦环的消耗而进展的程度。倾斜指的是在对被处理体进行等离子体处理的情况下，形成于被处理体的被处理面的孔形状倾斜的现象。

例如，在上述现有技术中，若聚焦环被等离子体消耗，则形成于聚焦环的上方的等离子体鞘和形成于被处理体的上方的等离子体鞘之间的高度的大小关系变动。因此，离子向被处理体入射的入射方向变动，结果，倾斜的程度进展。换言之，聚焦环越被消耗，形成于被处理体的被处理面的孔形状的倾斜的变动量越大。这妨碍了形成于被处理体的被处理面的孔形状的倾斜满足预先允许的规格。

发明内容

公开的等离子体处理装置在一个实施方式中包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于上述腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于上述载置面的上述被处理体的方式设于上述载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比上述载置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比上述被处理体的被处理面高的第3平坦部。

根据公开的等离子体处理装置的一个方式，起到能够抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗的进展的效果。

附图说明

图1是示意性地示出第1实施方式的等离子体处理装置(蚀刻装置)整体的概略结构的剖视图。

图2是示意性地示出第1实施方式中的聚焦环和半导体晶圆、静电卡盘以及载置台之间的位置关系的剖视图。

图3是表示等离子体鞘伴随着以往的聚焦环的消耗的变动的说明图。

图4是表示等离子体鞘伴随着第1实施方式的聚焦环的消耗的变动的图。

图5是表示直径X和消耗灵敏度之间的关系的图。

图6是表示位置Y2和初始倾斜角度之间的关系的图。

图7是表示第1实施方式中的聚焦环的使用时间和倾斜角度之间的关系的一个例子的图。

具体实施方式

以下，基于附图详细说明公开的等离子体处理装置以及聚焦环的实施方式。此外，利用本实施例公开的发明不被限定。各实施方式能够在处理内容不矛盾的范围内适当地进行组合。

(第1实施方式)

第1实施方式的等离子体处理装置在实施方式的一个例子中包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比第2平坦部和被处理体的被处理面高的第3平坦部。

另外，关于第1实施方式的等离子体处理装置，在实施方式的一个例子中，由第3平坦部的、靠聚焦环的内周侧的端部形成的圆的直径为315mm～325mm。

另外，关于第1实施方式的等离子体处理装置，在实施方式的一个例子中，在自比上述被处理体的被处理面低1mm的位置至上述被处理体的被处理面的位置的范围内选定上述第2平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

另外，关于第1实施方式的等离子体处理装置，在实施方式的一个例子中，在自比上述被处理体的被处理面高3mm的位置至比上述被处理体的被处理面高5mm的位置的范围内选定上述第3平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

另外，关于第1实施方式的等离子体处理装置，在实施方式的一个例子中，在第2平坦部与第3平坦部之间形成有倾斜部。

另外，关于第1实施方式的等离子体处理装置，在实施方式的一个例子中，在聚焦环上自内周侧朝向外周侧依次形成有第1平坦部、第2平坦部、第3平坦部、以及比第3平坦部低并且比被处理体的被处理面高的第4平坦部。