[发明专利]等离子体处理装置以及聚焦环

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：

腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；

载置台，其设于上述腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及

聚焦环，其以包围被载置于上述载置面的上述被处理体的方式设于上述载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比上述载置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比上述被处理体的被处理面高的第3平坦部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

由上述第3平坦部的、靠上述聚焦环的内周侧的端部围成的圆的直径为315mm～325mm。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在自比上述被处理体的被处理面低1mm的位置至上述被处理体的被处理面的位置的范围内选定上述第2平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在自比上述被处理体的被处理面高3mm的位置至比上述被处理体的被处理面高5mm的位置的范围内选定上述第3平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在上述第2平坦部与上述第3平坦部之间形成有倾斜部。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在上述聚焦环自内周侧朝向外周侧依次形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部、上述第3平坦部、以及比上述第3平坦部低并且比上述被处理体的被处理面高的第4平坦部。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在上述载置台设有用于吸附被载置于上述载置面的上述被处理体的静电卡盘，

在上述聚焦环的与形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部以及上述第3平坦部的面相反的一侧的面即下表面中的、比上述静电卡盘靠上述聚焦环的径向的外侧的区域形成有凹部。

8.一种聚焦环，其特征在于，其设于用于对被处理体进行等离子体处理的腔室的内部的、具有用于载置上述被处理体的载置面的载置台，并且上述聚焦环包围被载置于上述载置面的上述被处理体，

上述聚焦环自内周侧朝向外周侧依次形成有比上述载置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比上述被处理体的被处理面高的第3平坦部。

9.根据权利要求8所述的聚焦环，其特征在于，

由上述第3平坦部的、靠上述聚焦环的内周侧的端部围成的圆的直径为315mm～325mm。

10.根据权利要求8或9所述的聚焦环，其特征在于，

在自比上述被处理体的被处理面低1mm的位置至上述被处理体的被处理面的位置的范围内选定上述第2平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的聚焦环，其特征在于，

在自比上述被处理体的被处理面高3mm的位置至比上述被处理体的被处理面高5mm的位置的范围内选定上述第3平坦部的相对于上述被处理体的被处理面的高度方向上的位置。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的聚焦环，其特征在于，

在上述第2平坦部与上述第3平坦部之间形成有倾斜部。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的聚焦环，其特征在于，

在上述聚焦环自内周侧朝向外周侧依次形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部、上述第3平坦部、以及比上述第3平坦部低并且比上述被处理体的被处理面高的第4平坦部。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的聚焦环，其特征在于，

在上述载置台设有用于吸附被载置于上述载置面的上述被处理体的静电卡盘，

在上述聚焦环的与形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部以及上述第3平坦部的面相反的一侧的面即下表面中的、比上述静电卡盘靠上述聚焦环的径向的外侧的区域形成有凹部。