[发明专利]功率半导体装置

说明书

本发明涉及一种功率半导体装置，第一壳体部件具有第一凹部，第二壳体部件以如下方式相对第一壳体部件布置，即，通过第一凹部在壳体中构造开口，功率半导体装置具有导电的载荷联接元件，该载荷联接元件具有穿通过开口的穿引区段，穿引区段具有横向朝着穿引区段的第一外边沿尖形收尾的第一外边沿区域和横向朝着穿引区段的第二外边沿尖形收尾的第二外边沿区域，在第一壳体部件与穿引区段之间布置有第一密封元件的第一区段，而在第二壳体部件与穿引区段之间布置有第二密封元件的第一区段，第一和第二密封元件横向于第一和第二外边沿相互间具有接触部。

技术领域

本发明涉及一种功率半导体装置。

背景技术

在由现有技术公知的功率半导体装置中，通常在基底上布置有功率半导体器件，像例如功率半导体开关和二极管，并且借助基底的导体层以及键合线和/复合薄膜彼此导电连接。功率半导体开关在此通常以晶体管，像例如IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)，或MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Tran-sistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，或晶闸管的形式存在。

布置在基底上的功率半导体器件在此经常在电学上与单个的或多个所谓的半桥电路互连，这些半桥电路例如用于对电压或电流的整流和逆变。

为了引导负载电流，技术上常见的功率半导体装置具有载荷联接元件，借助载荷联接元件，功率半导体装置可以与外部部件导电连接。在此，相对于例如用于驱控功率半导体开关的辅助电流而言，负载电流一般来说具有高的电流强度。通常，载荷联接元件必须被引导穿过功率半导体装置的壳体。在此，常常对功率半导体装置提出要求，例如防止溅水(例如IP54)，从而载荷联接元件必须相对壳体密封。在技术上常见的功率半导体装置中，载荷联接元件被引导穿过壳体并且借助硅酮密封物质和/或其他的密封元件相对壳体密封。因为载荷联接元件的在技术上常见的呈矩形的造型，在载荷联接元件的边沿上常常存在在其上没有密封材料的小区域，或随时间流失而形成这样的区域。由此，载荷联接元件不再足以相对壳体密封。

发明内容

本发明的任务是，提供一种功率半导体装置，在其中，至少一个载荷联接元件相对该功率半导体装置的壳体可靠地密封。

该任务通过具有基底以及布置在基底上的且与基底连接的功率半导体器件的功率半导体装置来解决，其中，功率半导体装置具有壳体，该壳体具有第一壳体部件和第二壳体部件，第一壳体部件具有第一凹部，其中，第二壳体部件以如下方式相对第一壳体部件布置，即，通过第一凹部在壳体中构造开口，其中，为了电接触功率半导体装置，功率半导体装置具有导电的载荷联接元件，该载荷联接元件具有布置在壳体外部的外部联接区段和布置在壳体内部的内部联接区段以及穿通过开口的穿引区段，其中，穿引区段具有横向朝着穿引区段的第一外边沿尖形收尾的第一外边沿区域和横向朝着穿引区段的第二外边沿尖形收尾的第二外边沿区域，其中，第一和第二外边沿区域彼此远离地布置，并且第一外边沿布置在开口的第一横向端部的区域内，而第二外边沿布置在开口的第二横向端部的区域内，其中，在第一壳体部件与穿引区段之间布置有第一密封元件的第一区段，而在第二壳体部件与穿引区段之间布置第二密封元件的第一区段，其中，第一和第二密封元件横向于第一和第二外边沿地相互间具有接触部。

已被证实有利的是，穿引区段的几何形状通过穿引区段的面向第一壳体部件的外部面并且通过穿引区段的面向第二壳体部件的外部面形成，其中，面向第一壳体部件的外部面在第一和第二外边沿之间的区域内在朝着从第一外边沿至第二外边沿的方向具有曲线，该曲线轴向具有两个拐点，其中，第一拐点布置在第一外边沿与曲线的如下点之间，该点到第一外边沿的垂直距离相应于第一和第二外边沿彼此间距离的一半，其中，第二拐点布置在第二外边沿与曲线的如下点之间，该点到第一外边沿的垂直距离相应于第一和第二外边沿彼此间距离的一半。由此，穿引区段的几何形状具有如下走向，即，在该走向上第一和第二密封元件可以良好地紧贴，从而实现载荷联接元件相对功率半导体装置的壳体的特别可靠的密封。