[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其具有基底(19)以及布置在所述基底(19)上并且与所述基底(19)连接的功率半导体器件(22)，其中，所述功率半导体装置(1)具有壳体(32)，所述壳体具有第一壳体部件(13)和第二壳体部件(14)，所述第一壳体部件具有第一凹部(15)，其中，所述第二壳体部件(14)以如下方式相对所述第一壳体部件(13)布置，即，通过所述第一凹部(15)在所述壳体(32)中构造开口(17)，其中，为了电接触所述功率半导体装置(1)，所述功率半导体装置(1)具有导电的载荷联接元件(2)，所述载荷联接元件具有布置在所述壳体(32)外部的外部联接区段(2c)和布置在所述壳体(32)内部的内部联接区段(2a)以及穿过所述开口(17)的穿引区段(2b)，其中，所述穿引区段(2b)具有横向地朝着所述穿引区段(2b)的第一外边沿(4)的方向尖形收缩的第一外边沿区域(7)和横向地朝着所述穿引区段(2b)的第二外边沿(5)尖形收缩的第二外边沿区域(8)，其中，所述第一和第二外边沿区域(7、8)彼此远离地布置，并且所述第一外边沿(4)布置在所述开口(17)的第一横向端部(A)的区域(26)内，而所述第二外边沿(5)布置在所述开口(17)的第二横向端部(B)的区域(27)内，其中，在所述第一壳体部件(13)与所述穿引区段(2b)之间布置有第一密封元件(3)的第一区段(3a)，而在所述第二壳体部件(14)与所述穿引区段(2b)之间布置第二密封元件(6)的第一区段(6a)，其中，所述第一和第二密封元件(3、6)横向于所述第一和所述第二外边沿(4、5)地相互间具有接触部。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述穿引区段(2b)的几何形状通过所述穿引区段(2b)的面向所述第一壳体部件(13)的外部面(30)并且通过所述穿引区段(2b)的面向所述第二壳体部件(14)的外部面(31)形成，其中，所述面向第一壳体部件(13)的外部面(30)在所述第一和第二外边沿(4、5)之间的区域(AB)内朝着从所述第一外边沿至所述第二外边沿的方向具有曲线(30a)，所述曲线具有两个拐点(W1、W2)，其中，所述第一拐点(W1)布置在所述第一外边沿(4)与所述曲线(30a)的如下点(P1)之间，所述点到所述第一外边沿(4)的垂直距离(E)相应于所述第一和第二外边沿(4、5)彼此间距离的一半，其中，所述第二拐点(W2)布置在所述第二外边沿(5)与所述曲线(30a)的如下点(P2)之间，所述点到所述第一外边沿(4)的垂直距离(E)相应于所述第一和第二外边沿(4、5)彼此间距离的一半。

3.根据上述权利要求中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述穿引区段(2b)的几何形状关于假想地沿着Y方向和Z方向伸展的并且与所述第一和第二外边沿(4、5)有相同间隔的第一平面(S1)呈镜像对称地构造。

4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二壳体部件(14)具有第二凹部(16)，其中，所述第二壳体部件(14)以如下方式相对所述第一壳体部件(13)布置，即，所述第二凹部(16)布置在所述第一凹部(15)上方，并且通过所述第一和第二凹部(15、16)在所述壳体中构造出所述开口(17)。

5.根据权利要求4所述的功率半导体装置，其特征在于，所述穿引区段(2b)的几何形状通过所述穿引区段(2b)的面向所述第一壳体部件(13)的外部面(30)并且通过所述穿引区段(2b)的面向所述第二壳体部件(14)的外部面(31)形成，其中，所述面向第一壳体部件(13)的外部面(30)以及所述面向第二壳体部件(14)的外部面(31)在所述第一和第二外边沿(4、5)之间的区域(AB)内朝着从所述第一外边沿至第二外边沿的方向具有相应的曲线(30a、31a)，所述曲线具有两个拐点(W1、W2、W3、W4)，其中，相应的第一拐点(W1、W3)布置在第一外边沿(4)与相应的所述曲线(30a、31a)的如下点(P1、P2)之间，所述点到第一外边沿(4)的垂直距离相应于所述第一和第二外边沿(4、5)彼此间距离的一半，其中，相应的所述第二拐点(W2、W4)布置在第二外边沿(5)与所述相应曲线(30a、31a)的如下点(P1、P2)之间，所述点到第一外边沿(4)的垂直距离(E)相应于所述第一和第二外边沿(4、5)彼此间距离的一半。