[发明专利]阵列基板及其制造方法和全反射式液晶显示器

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及显示技术领域，并且具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法、和包括该阵列基板的全反射式液晶显示器。

背景技术

自20世纪90年代以来，人们试图通过不用背照光的方法，寻找实现薄型化、重量轻及低功耗的新型TFT(薄膜晶体管)LCD(液晶显示器)。因此种方法是利用反射环境光来显示图像，故将其称为反射式(Reflective type)TFT-LCD。

反射式液晶显示器利用并调制环境光满足显示需求，省电、节能。反射式TFT-LCD保持了液晶显示原有的优势与特点，已成为当今液晶显示一大发展趋势。但由于普通扭曲向列型(TN)LCD、超扭曲向列型(STN)LCD必须采用偏光片，故其显示底色灰暗，对比度低、显示质量差。

对于普通TFT-LCD而言，作为平坦化层的树脂层的引入，改善了器件整体的功耗，提高了开口率和透过率等方面。但对于全反射模式的LCD来说，树脂层的平坦性对于反射式LCD的反射率的影响至关重要。即是同样的反射金属，同样的反射结构，沉积在平坦性不等的树脂层上，反射器件的最终反射率会差别很大。

发明内容

为了克服现有技术存在的上述和其它问题和缺陷中的至少一种，提出了本发明。

根据本发明的一个方面，提出了一种阵列基板，包括基板、位于基板上的多个像素区域、和形成在每个像素区域中的薄膜晶体管，每个像素区域包括像素电极区域，该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层、和源/漏极层，该阵列基板还包括依次形成在基板上并至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层，该反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接，并且栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成。

在上述阵列基板中，栅极层和源/漏极层可以均由单层金属形成。

在上述阵列基板中，栅极层和源/漏极层可以均由同一种金属形成。

在上述阵列基板中，栅极层和源/漏极层可以具有相同的厚度。

在上述阵列基板中，所述金属可以包括钼、铜和铝中的一种。

在上述阵列基板中，栅极层和源/漏极层可以均由厚度为2200埃的钼层形成。

在上述阵列基板中，反射电极层覆盖在像素电极区域上的部分可以是基本上平坦的。

在上述阵列基板中，反射电极层可以由Al、Ag和AlNd中的一种形成。

在上述阵列基板中，平坦化层可以包括树脂层。

上述阵列基板还可以包括周边引线区域，其中反射电极层还可以形成在周边引线区域中，并且在反射电极层位于周边引线区域中的部分上可以覆盖有氧化铟锡层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种全反射式液晶显示器，包括上述阵列基板。

根据本发明的再一个方面，提供了一种制造阵列基板的方法，包括：提供一基板，该基板包括将形成多个像素的多个像素区域，每个像素区域包括将形成像素电极的像素电极区域；在像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层和源/漏极层，栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成；以及在基板上依次形成至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层，使得反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接。

在上述方法中，可以由单层金属形成栅极层和源/漏极层二者。

在上述方法中，可以由同一种金属形成栅极层和源/漏极层二者。

在上述方法中，栅极层和源/漏极层可以具有相同的厚度。

在上述方法中，所述金属可以包括钼、铜和铝中的一种。

在上述方法中，栅极层和源/漏极层可以均由厚度为2200埃的钼层形成。

在上述方法中，反射电极层覆盖在像素电极区域上的部分可以是基本上平坦的。

在上述方法中，反射电极层可以由Al、Ag和AlNd中的一种形成。

在上述方法中，平坦化层可以包括树脂层。

上述方法所采用的基板还包括周边引线区域，反射电极层还形成在周边引线区域中，该方法还可以包括在基板上形成覆盖反射电极层位于周边引线区域中的部分的氧化铟锡层。

通过下文中参照附图对本发明所作的详细描述，本发明的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本发明有全面的瑚解。

附图说明

通过参考附图能够更加清楚地理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1是根据本发明的实施例的用于全反射式液晶显示器的阵列基板的剖视图；以及