[发明专利]阵列基板及其制造方法和全反射式液晶显示器在审
| 申请号: | 201410752941.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN104375348A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
| 发明(设计)人: | 吕志军;李太亮;高涛;宁策;孙双 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪洋 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 全反射 液晶显示器 | ||
1.一种阵列基板,包括基板、位于基板上的多个像素区域、和形成在每个像素区域中的薄膜晶体管,每个像素区域包括像素电极区域,
该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层和源/漏极层,
该阵列基板还包括依次形成在基板上并至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层,
该反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接,并且
栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中栅极层和源/漏极层均由单层金属形成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中栅极层和源/漏极层由同一种金属形成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中栅极层和源/漏极层具有相同的厚度。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其中所述金属包括钼、铜和铝中的一种。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其中栅极层和源/漏极层均由厚度为2200埃的钼层形成。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中反射电极层覆盖在像素电极区域上的部分是基本上平坦的。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其中反射电极层由Al、Ag和AlNd中的一种形成。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中平坦化层包括树脂层。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,还包括周边引线区域,其中
反射电极层还形成在周边引线区域中,并且
在反射电极层位于周边引线区域中的部分上覆盖有氧化铟锡层。
11.一种全反射式液晶显示器,包括权利要求1-10中任一项所述的阵列基板。
12.一种制造阵列基板的方法,包括:
提供一基板,该基板包括将形成多个像素的多个像素区域,每个像素区域包括将形成像素电极的像素电极区域;
在像素区域中形成薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层和源/漏极层,栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成;以及
在基板上依次形成至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层,使得反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接。
13.根据权利要求12所述的方法,其中栅极层和源/漏极层均由单层金属形成。
14.根据权利要求12所述的方法,其中栅极层和源/漏极层由同一种金属形成。
15.根据权利要求14所述的方法,其中栅极层和源/漏极层具有相同的厚度。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述金属包括钼、铜和铝中的一种。
17.根据权利要求15所述的方法,其中栅极层和源/漏极层均由厚度为2200埃的钼层形成。
18.根据权利要求12-17中任一项所述的方法,其中反射电极层覆盖在像素电极区域上的部分是基本上平坦的。
19.根据权利要求18所述的方法,其中反射电极层由Al、Ag和AlNd中的一种形成。
20.根据权利要求12-17中任一项所述的方法,其中平坦化层包括树脂层。
21.根据权利要求12-17中任一项所述的方法,其中所述基板还包括周边引线区域,反射电极层还形成在周边引线区域中,该方法还包括:
在基板上形成覆盖反射电极层位于周边引线区域中的部分的氧化铟锡层。
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