[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410751970.5 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN104638009B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木恒德;野村亮二;汤川干央;大泽信晴;高野圭惠;浅见良信;佐藤岳尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 有机化合物 剥离层 无机化合物层 第二导电层 元件形成层 第一导电层 第一基板 挠性基板 成品率 基板 挠性 贴合 制作 制造 剥离 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基板；
在所述基板上的层；
第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层提供在所述基板上的层上并与所述基板上的层接触；
在所述层、所述第一导电层和所述第二导电层上的绝缘层；
在所述第一导电层和所述绝缘层上的含有有机化合物的层；和
在所述含有有机化合物的层上的第三导电层；
其中，在所述基板上提供所述含有有机化合物的层和所述第三导电层互相接触的第一部分，
其中，在所述基板上提供所述第二导电层和所述第三导电层互相接触的第二部分，且
其中，所述第二部分围绕所述第一部分的外缘。
2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述基板上的层是无机化合物层。
3.一种半导体器件，包括：
基板；
在所述基板上的无机化合物层；
在所述无机化合物层上的第一导电层；
在所述无机化合物层和所述第一导电层上的含有有机化合物的层；和在所述含有有机化合物的层和所述无机化合物层上的第二导电层；
其中，在所述基板上提供所述含有有机化合物的层与所述第二导电层互相接触的第一部分，
其中，在所述基板上提供所述无机化合物层与所述第二导电层互相接触的多个第二部分。
4.一种半导体器件，包括：
基板；
在所述基板上的无机化合物层；
在所述无机化合物层上的第一导电层；
在所述无机化合物层和所述第一导电层上的含有有机化合物的层；和
在所述含有有机化合物的层和所述无机化合物层上的第二导电层；
其中，在所述基板上提供所述含有有机化合物的层与所述第二导电层互相接触的第一部分，
其中，在所述基板上提供所述无机化合物层与所述第二导电层互相接触的第二部分，且
其中，所述第二部分围绕所述第一部分的外缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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