[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。

本申请是申请日为2006年8月31日、申请号为200610129024.2、发明名称为“半导体器件及其制造方法”的发明专利申请的的分案(申请日为2006年8月31日、申请号为201210123886.X、发明名称为“半导体器件及其制造方法”)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件在具有挠性的基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。

背景技术

需要以低成本制作半导体器件，近年来，将含有有机化合物的层用于控制电路和存储电路等的晶体管、存储器、以及太阳能电池等的元件的开发在盛行(例如专利文献1)。

人们期待将这样的半导体器件应用到各种场合，所述半导体器件具有使用如上所述的含有有机化合物的层的晶体管、存储器、以及太阳能电池等的元件，并且追求其小型化和轻量化，而尝试着使用挠性塑料薄膜。

由于塑料薄膜的耐热性低，所以不得不降低工艺的最高温度。由此，使用塑料薄膜的半导体器件通过使用金属掩模的蒸镀法或溅射法而制作。

此外，塑料薄膜的耐热性低，结果，现状是在塑料薄膜上不可能制作电特性如在玻璃基板上制作的晶体管那样优异的晶体管。

于是，提出了一种技术方案，其中将使用光刻步骤形成在玻璃基板上的微细的元件从基板剥离，然后将它贴合在其他基材上，例如塑料薄膜等上(参见专利文献2)。

[专利文献1]日本专利申请公开2004-47791号

[专利文献2]日本专利申请公开2003-174153号

然而，在通过使用金属掩模的蒸镀法或溅射法来制作半导体器件的情况下，需要对准金属掩模的定位的步骤。因此，存在因定位的对准不良而产品的成品率降低的问题。

此外，在通过使用金属掩模的蒸镀法或溅射法制作半导体器件的情况下，考虑定位的错位而进行元件设计。由此，不容易制作具有微细结构的晶体管、存储器、以及太阳能电池等，从而不容易实现半导体器件的小型化、轻量化、以及高性能化。

再者，在使用如专利文献2所示的剥离步骤来剥离包括含有有机化合物的层的元件的情况下，具体地，如图21所示那样在基板101上形成剥离层102，在剥离层102上形成无机绝缘物层103，在无机绝缘物层103上形成第一电极层104，在第一电极层104上形成含有有机化合物的层105，在含有有机化合物的层105上形成第二电极层106，当剥离包括含有有机化合物的层的元件151以及具有元件151的层157的时候，存在含有有机化合物的层105和第二电极层106之间会剥离的问题。

这是因为含有有机化合物的层105和第二电极层106的附着力低的缘故。具体地，含有有机化合物的层105由于起到有机半导体的作用，从而该层由具有载流子传输性的材料形成。具有载流子传输性的材料一般没有亚胺基、氰基、羟基等的极性取代基。结果，含有有机化合物的层105和第二电极层106的附着性非常小，从而在剥离步骤中在含有有机化合物的层105和第二电极层106之间会剥离。

结果，不容易以高成品率制作在塑料薄膜上设置有包括含有有机化合物的层的元件的半导体器件。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于以高成品率制作半导体器件，该半导体器件在具有挠性的基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。