[发明专利]用于形成半导体器件的方法

说明书

用于形成半导体器件的方法，包括通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。

技术领域

实施例涉及半导体器件的制造并且特别涉及用于形成半导体器件的方法。

背景技术

针对半导体器件的制造，使用各种各样的材料和工艺。通常，半导体器件的导电部分必须与半导体器件的其它导电部分电绝缘。半导体器件的最大可允许电压和可达到的寿命被半导体器件的电绝缘部分的质量和定尺寸强有力地影响。期望的是增大半导体器件的寿命和/或最大可允许电压。

发明内容

一些实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括通过在半导体衬底和在电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。

另外的实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括通过在半导体衬底和在电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括独立于吸引电场来刺激阳极氧化。

一些实施例涉及一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括在半导体衬底内形成至少一个pn结。此外，该方法包括通过在半导体衬底和在电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层，同时由于吸引电场，在pn结处出现高电压差。附加地，该方法包括在pn结的p区或n区内注入掺杂剂，将pn结的闭塞电压降低到在阳极氧化期间pn结处出现的高电压差之下。

附图说明

将在下面仅通过示例的方式，并且参考附图来描述装置和/或方法的一些实施例，在附图中：

图1示出用于形成半导体器件的方法的流程图；

图2示出用于形成半导体器件的另一方法的流程图；

图3示出用于形成半导体器件的另一方法的流程图；以及

图4示出阳极氧化的示意图。

具体实施方式

现在将更完全地参考其中图示了一些示例实施例的附图来描述各个示例实施例。在图中，为了清楚的目的，可夸大线、层和/或区的厚度。

相应地，尽管示例实施例能够具有各种修改和替换形式，但在图中通过示例的方式示出其实施例，并且在本文将详细描述其实施例。然而，应当理解的是，不存在意图来将示例实施例限制到所公开的特别的形式，而是相反，示例实施例将覆盖落入本公开的范围内的所有修改、等同形式和替换形式。遍及图的描述，同样的数字指代同样或类似的元件。

将理解的是，当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可以直接连接或耦合到其它元件，或可存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间的元件。应当以同样的方式解释用于描述元件之间的关系的其它词语（例如“之间”对比“直接之间”，“邻近”对比“直接邻近”等）。