[发明专利]用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引所述电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在所述半导体衬底的表面处形成氧化层；

在所述半导体衬底在电解液内的同时，减小所述氧化层内的剩余氧化离子的数量；以及

将用于执行所述阳极氧化的电解液交换成包括较少氧化离子或不包括氧化离子的电解液，以降低在被氧化的表面区内的剩余氧化离子的数量。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体衬底和在被交换的电解液内的外部电极之间生成吸引电场，以通过在所述氧化层内的剩余氧化离子来加速对所述表面区的进一步氧化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中减小所述氧化层内的剩余氧化离子的数量包括在所述半导体衬底和所述电解液内的外部电极之间生成排斥电场。

4.根据权利要求3所述的方法，其中相对于所述吸引电场来反向定向所述排斥电场。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括照射所述半导体衬底的所述表面的至少一部分以刺激所述阳极氧化，或包括将磁场施加到所述半导体衬底的所述表面以刺激所述阳极氧化。

6.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引所述电解液的氧化离子从而引起所述半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在所述半导体衬底的表面处形成氧化层；

在所述半导体衬底在电解液内的同时，减小所述氧化层内的剩余氧化离子的数量；以及

独立于所述吸引电场来刺激所述阳极氧化，其中刺激所述阳极氧化包括：照射所述半导体衬底的所述表面的至少一个局部区域是由激光照射的，同时与所述半导体衬底的所述表面的所述至少一个局部区域相比，通过所述激光显著更少地照射所述半导体衬底的所述表面的至少一个其它区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，刺激所述阳极氧化包括照射所述半导体衬底的所述表面的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过光来照射所述半导体衬底的所述表面的至少一部分，所述光至少部分包括刺激由所述氧化离子进行的所述半导体器件的半导体材料的氧化的频率。

9.根据权利要求7所述的方法，其中照射所述半导体衬底的整个表面或所述半导体衬底的所述表面的至少一个局部区域。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述半导体衬底的所述表面中的、将被保护以防对所述阳极氧化的所述刺激的区域处，沉积光吸收材料或光反射材料。

11.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述阳极氧化之前，执行对所述半导体衬底的所述表面区的至少一部分的被掩模的损坏注入。

12.根据权利要求6所述的方法，其中刺激所述阳极氧化包括施加磁场到所述半导体衬底的所述表面。

13.根据权利要求6所述的方法，其中刺激所述阳极氧化包括增大所述表面区的温度。