[发明专利]高压隔离环结构

权利要求书

1.一种高压隔离环结构，包含用于电平位移的高耐压场效应晶体管及高压隔离环，所述的高压隔离环为闭环结构，且形成有弯曲的弧度区；位于闭环内的为高端电压区域，位于闭环外的为低端电压区域；其特征在于：所述的高压隔离环为无高压过渡区的单一的闭环结构；

所述的高压场效应晶体管位于闭环结构的弧度区，其与所述高压隔离环共用漏区，其源极及栅极位于高压隔离环的外侧。

2.如权利要求1所述的高压隔离环结构，其特征在于：所述的高压场效应晶体管具有自保护功能，其多晶硅栅极不覆盖耐压漂移区上方的局部场氧化区；在栅极与局部场氧化区之间的外延层中具有P阱，P阱中有重掺杂P型区和重掺杂N型区，P阱与局部场氧化区之间的硅面上具有栅氧化层及覆盖在栅氧化层之上的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极覆盖部分局部场氧化区，所述的重掺杂P型区、重掺杂N型区及多晶硅栅极引出后一起短接到地电位。

3.如权利要求2所述的高压隔离环结构，其特征在于：所述的高压场效应晶体管的源极及栅极放置于低端电压区域，位于高压隔离环的源极之外；与高压隔离环共用漏极及耐压漂移区。

4.如权利要求2所述的高压隔离环结构，其特征在于：高压场效应晶体管的源极的P阱、P阱底部的N型外延以及P型衬底形成寄生JFET结构，使高压场效应晶体管的漏极电位具有自夹断功能。

5.如权利要求1所述的高压隔离环结构，其特征在于：所述的高压隔离环采用高耐压MOS常关断状态结构，仅作为电路耐压。

6.如权利要求5所述的高压隔离环结构，其特征在于：所述的高压隔离环的栅极和源极连接，并与地端直接短接，使MOS一直处于关断状态。

7.如权利要求1所述的高压隔离环结构，其特征在于：所述的高压场效应晶体管和高压隔离环的耐压均由同一耐压漂移区来实现。