[发明专利]相邻焊垫短接键合焊接方法和结构有效
申请号: | 201410745165.1 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104576423A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 张永峰 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭栋梁 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相邻 焊垫短接键合 焊接 方法 结构 | ||
1.一种相邻焊垫短接键合焊接方法,用于短接相邻的第一焊垫与第二焊垫,其特征在于,包括:
在所述第一焊垫上选择第一焊点,在所述第二焊垫上选择第二焊点;
在所述第一焊点上焊接第一焊球;所述第一焊球的半径大于所述第一焊点与所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线的距离;
在所述第二焊点上焊接第二焊球,使所述第二焊球与所述第一焊球焊连;所述第二焊球的半径大于所述第二焊点与所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线的距离。
2.根据权利要求1所述的相邻焊垫短接键合焊接方法,其特征在于,所述第一焊点位于所述第一焊垫的中心点与所述第一焊垫靠近所述第二焊垫的边之间;所述第二焊点位于所述第二焊垫的中心点与所述第二焊垫靠近所述第一焊垫的边之间。
3.根据权利要求2所述的相邻焊垫短接键合焊接方法,其特征在于,所述第一焊球的半径小于所述第一焊点到所述第二焊垫的距离,所述第二焊球的半径小于所述第二焊点到所述第一焊垫的距离。
4.根据权利要求3所述的相邻焊垫短接键合焊接方法,其特征在于,所述第一焊点为所述第一焊垫的中心点与所述第一焊垫靠近所述第二焊垫的边的垂线中点;所述第二焊点为所述第二焊垫的中心点与所述第二焊垫靠近所述第一焊垫的边的垂线中点。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的相邻焊垫短接键合焊接方法,其特征在于,所述第一焊点和所述第二焊点相对于所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线对称设置,所述第一焊球与所述第二焊球半径相同。
6.一种相邻焊垫短接键合焊接结构,包括相邻的第一焊垫与第二焊垫,其特征在于,还包括:焊接在所述第一焊垫的第一焊点上的第一焊球,焊接在所述第二焊垫的第二焊点上、与所述第一焊球焊连的第二焊球。
7.根据权利要求6所述的相邻焊垫短接键合焊接结构,其特征在于,所述第一焊球的半径大于所述第一焊点与所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线的距离;所述第二焊球的半径大于所述第二焊点与所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线的距离。
8.根据权利要求7所述的相邻焊垫短接键合焊接结构,其特征在于,所述第一焊球的半径小于所述第一焊点到所述第二焊垫的距离,所述第二焊球的半径小于所述第二焊点到所述第一焊垫的距离。
9.根据权利要求8所述的相邻焊垫短接键合焊接结构,其特征在于,所述第一焊点为所述第一焊垫的中心点与所述第一焊垫靠近所述第二焊垫的边的垂线中点;所述第二焊点为所述第二焊垫的中心点与所述第二焊垫靠近所述第一焊垫的边的垂线中点。
10.根据权利要求6至9任意一项所述的相邻焊垫短接键合焊接结构,其特征在于,所述第一焊点和所述第二焊点相对于所述第一焊垫和所述第二焊垫的中心点连线的中垂线对称设置,所述第一焊球与所述第二焊球半径相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造