[发明专利]光掩模坯料

权利要求书

1.一种光掩模坯料，由其制备包含透明衬底和在透明衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm宽度的线的抗蚀剂图案的光刻法，

所述光掩模坯料包含透明衬底和直接或通过至少一种额外膜沉积在该衬底上的含铬膜，所述含铬膜包含一个或多个层，至少一个层为CrC化合物层，其包含最高至50原子％铬、至少25原子％氧和/或氮之和、和至少5原子％碳，其中CrC化合物层具有至少5,000欧姆每平方的薄层电阻。

2.权利要求1的光掩模坯料，其中CrC化合物层满足下式(1)的关系：

2Cr≤2O+3N (1)

其中Cr是铬含量(原子％)，O是氧含量(原子％)，并且N是氮含量(原子％)。

3.权利要求1的光掩模坯料，其中CrC化合物层的总厚度占含铬膜的总厚度的至少60％。

4.权利要求1的光掩模坯料，其中CrC化合物层是光屏蔽膜。

5.权利要求4的光掩模坯料，其中通过一种或多种额外膜在衬底上形成含铬膜，至少一种额外膜为光学膜。

6.权利要求5的光掩模坯料，其中光学膜是相移膜。

7.权利要求6的光掩模坯料，其中含铬膜相对于曝光光具有1.4－2.5的光密度。

8.权利要求7的光掩模坯料，其中光屏蔽膜和相移膜两者合计具有至少2.0的光密度。

9.权利要求1的光掩模坯料，其中含铬膜是刻蚀掩模膜或刻蚀截止膜。