[发明专利]一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法有效

专利信息
申请号: 201410734389.2 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104371733A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 李耀刚;李佳慧;王宏志;张青红 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 流体 合成 发光 性能 可控 cdse zns 结构 量子 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于CdSe/ZnS量子点的制备领域,特别涉及一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法。

背景技术

半导体量子点由于具有优良的光学和电子学性能,因而受到广泛关注。其中CdSe量子点是人们研究最广泛的量子点。其发光波长随尺寸可调,光谱范围可从蓝光覆盖到红光的整个可见光区,并且具有很宽的激发范围和狭窄的发射峰宽,量子产率也相对较高。但是裸核的CdSe量子点容易受到外界环境影响并导致其荧光淬灭。因此,在CdSe量子点表面外延生长晶格接近的宽带隙半导体壳层材料以钝化表面,从而可以制备出稳定发光的核壳结构。ZnS具有较宽的带隙(3.68eV)和较低的毒性,是最常用的壳层材料。核壳结构CdSe/ZnS量子点成为应用广泛的发光材料。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法,本发明实验条件温和,实验操作简单,得到的产物产率纯度高。

本发明的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法,包括:

(1)在氮气保护气氛下,将氧化镉溶解在溶剂中,300℃条件下,搅拌溶解,得到镉前躯体溶液;

(2)将硒溶解在溶剂中,室温条件下,搅拌溶解,得到硒前躯体溶液;

(3)将镉前躯体溶液和硒前躯体溶液混合,然后通入聚四氟乙烯毛细管,油浴条件下反应,得到CdSe胶体量子点溶液;其中镉前躯体溶液和硒前躯体溶液的体积比为10:1~1:10;

(4)将二乙基二硫代氨基甲酸锌[(C2H5)2NCSS]2Zn溶解于溶剂中,得到ZnS前驱体溶液;

(5)将上述ZnS前驱体溶液同CdSe胶体量子点溶液混合,通入聚四氟乙烯毛细管中,油浴条件反应,洗涤,离心、分散,即得CdSe/ZnS核壳结构量子点溶液;其中ZnS前驱体溶液、CdSe胶体量子点溶液的体积比为1:2。

所述步骤(1)中溶剂为1-十八烯与油酸混合溶液,其中1-十八烯和油酸的体积比为1:5;镉前躯体溶液浓度为0.5mmol/mL。

所述步骤(2)中溶剂为三辛基膦TOP,硒前躯体溶液的浓度为0.2mmol/mL。

所述步骤(3)中油浴条件下反应温度为200-250℃,反应时间为2s~200s。

所述步骤(3)中通过控制微反应推进注射器的速度,控制混合溶液在聚四氟乙烯毛细管反应的时间,制备出大小可控的CdSe量子点的混合溶液。

所述步骤(4)中溶剂为三辛基膦TOP。

所述步骤(4)中ZnS前驱体溶液的浓度为0.5mmol/mL。

所述步骤(5)中油浴条件反应温度为150℃,反应时间为1s~100s。

所述步骤(5)中洗涤为丙酮洗涤1-5次,离心速率为7000r/min-10000r/min,离心时间为5-20min。

所述步骤(5)中分散为分散在甲苯或环己烷中。

所述步骤(5)中CdSe/ZnS核壳结构量子点溶液的浓度为0.01mmol/mL~1mol/mL。

所述CdSe/ZnS核壳结构量子点的发射波长在500nm~630nm,量子产率达43%~98%,半高宽为30nm~50nm。

本发明的整个反应过程,反应容器均为连通注射器推进的聚四氟乙烯毛细管,能够精确控制反应时间而得到尺寸均匀,发光性能集中的胶体量子点,便于量子点的分散和发光调控。

由于纳米材料具有大的比表面积,采用这样的反应装置控制,无需用N2气进行保护也能防止制备中纳米材料发生氧化。

当CdSe/ZnS量子点的合成温度和时间超出相应范围时,产物的发光强度,量子效率急剧下降。当CdSe/ZnS量子点的合成配比不同,也会导致产物的发光强度,量子效率变化。

本发明针对现有技术中量子点制备方法的缺陷,通过分别合成反应物的前驱体,通过外在控制反应条件来有选择的合成量子点的尺寸。

采用本发明制备CdSe/ZnS量子点,分散性好、纯度高、尺寸均匀容易控制,且发光效率,量子产率高。该CdSe/ZnS量子点的发光波长范围在500nm~630nm,并可通过反应时间和温度的调整对其进行有效调控,其荧光量子产率达98%;使用该法CdSe/ZnS量子点有望应用在LED,生物探针,光电器件中。

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