[发明专利]一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法

权利要求书

1.一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，包括：

(1)在氮气保护气氛下，将氧化镉溶解在溶剂中，300℃条件下，搅拌溶解，得到镉前躯体溶液；

(2)将硒溶解在溶剂中，室温条件下，搅拌溶解，得到硒前躯体溶液；

(3)将镉前躯体溶液和硒前躯体溶液混合，然后通入聚四氟乙烯毛细管，油浴条件下反应，得到CdSe胶体量子点溶液；其中镉前躯体溶液和硒前躯体溶液的体积比为10:1～1:10；

(4)将二乙基二硫代氨基甲酸锌[(C₂H₅)₂NCSS]₂Zn溶解于溶剂中，得到ZnS前驱体溶液；

(5)将上述ZnS前驱体溶液同CdSe胶体量子点溶液混合，通入聚四氟乙烯毛细管中，油浴条件反应，洗涤，离心、分散，即得CdSe/ZnS核壳结构量子点溶液；其中ZnS前驱体溶液、CdSe胶体量子点溶液的体积比为10:1～1:10。

2.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(1)中溶剂为1-十八烯与油酸混合溶液，其中1-十八烯和油酸的体积比为1:5；镉前躯体溶液浓度为0.1～1.0mmol/mL。

3.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(2)中溶剂为三辛基膦TOP，硒前躯体溶液的浓度为0.1～1.0mmol/mL。

4.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(3)中油浴条件下反应温度为200-250℃，反应时间为2s～200s。

5.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(4)中溶剂为三辛基膦(TOP)；ZnS前驱体溶液的浓度为0.1～1.0mmol/mL。

6.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(5)中油浴条件反应温度为150℃，反应时间为1s～100s。

7.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(5)中洗涤为丙酮洗涤1-5次，离心速率为7000r/min-10000r/min，离心时间为5-20min。

8.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(5)中分散为分散在甲苯或环己烷中。

9.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述步骤(5)中CdSe/ZnS核壳结构量子点溶液的浓度为0.01mmol/mL～1mol/mL。

10.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe/ZnS核壳结构量子点的方法，其特征在于：所述CdSe/ZnS核壳结构量子点的发射波长在500nm～630nm，量子产率达43％～98％，半高宽为30nm～50nm。