[发明专利]一种碳化硅晶体高温退火处理方法在审
| 申请号： | 201410732777.7 | 申请日： | 2014-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN104357913A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张政;孟大磊;徐永宽;徐所成 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 高温 退火 处理 方法 | ||
1.一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）.在退火石墨坩埚底部均匀放入20~50g碳化硅粉料，以防止在高温阶段中碳化硅晶体表面的反向升华，将碳化硅晶体放置在退火石墨坩埚内，装配好石墨坩埚，并放置在晶体退火炉内的线圈中心部位；
（2）.晶体退火炉密闭后进行抽真空处理，至真空度小于5×10-5mbar，升温至1000~1100℃，升温时间30min；待真空度小于2×10-5mbar后，充入Ar气至压力500~800mbar；
（3）.升温至1800~2400℃，升温时间3h，持续充入Ar气，流量为30~60ml/min，控制压力在100~300mbar，保温时间5~10h，然后以10℃/min缓慢降至室温后取出碳化硅晶体。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，将步骤（2）中的待真空度小于2×10-5mbar后，充入Ar气至压力500~800mbar的步骤重复进行1至4次。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，所述的碳化硅粉料纯度≥99.9%。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，所述的退火石墨坩埚采用密度≥1.7g/cm3的石墨制成，在内壁中部两侧对应设有支架。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，放入退火石墨坩埚中的碳化硅晶体数量最多为3个。
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