[发明专利]FinFET工艺器件保护环有效
| 申请号： | 201410725319.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105720087B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵劼;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 工艺 器件 保护环 | ||
【权利要求书】：
1.一种FinFET工艺器件保护环，包括：
有源区；
多个鳍片结构，形成在有源区之上且仅沿第一方向延伸分布；
多个接触孔，分布在多个鳍片结构之间，直达鳍片底部两侧的衬底以接触有源区，仅分布在第二方向上且与多个鳍片结构不重合、不交叉；
布线层，分布在有源区之上，与多个接触孔电连接。
2.根据权利要求1所述的FinFET工艺器件保护环，其中，所述多个接触孔与所述多个鳍片结构交替设置。
3.根据权利要求2所述的FinFET工艺器件保护环，其中，所述多个接触孔与所述多个鳍片结构等距设置。
4.根据权利要求1所述的FinFET工艺器件保护环，其中，所述多个接触孔排列成行和/或列。
5.根据权利要求4所述的FinFET工艺器件保护环，其中，行和/或列的数目小于等于10。
6.根据权利要求1所述的FinFET工艺器件保护环，其中，所述布线层接地。
7.根据权利要求1所述的FinFET工艺器件保护环，其中，所述有源区、多个鳍片结构与所述布线层之间具有绝缘层。
8.一种半导体装置，包括中心区域和外围区域，所述外围区域中包含根据权利要求1至7任一项所述的FinFET工艺器件保护环，所述中心区域包含多个MOSFET和/或多个FinFET。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述FinFET工艺器件保护环为嵌套的多个保护环。
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