[发明专利]包含嵌入式电容器的半导体封装件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及对电子器件的电磁屏蔽领域，更具体地讲，涉及一种利用嵌入式电容器来屏蔽电磁干扰信号的包含嵌入式电容器的半导体封装件及其制备方法。

背景技术

随着电子产品的小型化、高速处理化，半导体组件已经变得更加复杂。但是提升半导体组件的处理速度以及小型化的同时，也带来一些问题。尤其是，目前电子设备大都由大规模和超大规模集成电路组成，极易受外界电磁干扰，同时它们也向外部发射不同频率的电磁波，对邻近运行的电子设备造成干扰。

在现有技术中，如图1中所示，通常在半导体封装件外表面涂覆导电薄膜10，同时该导电薄膜10电连接至基板的地信号。当来自于封装件内部的电磁辐射侵袭该半导体封装件时，至少一部分电磁辐射可以因导电薄膜10而被电性短路，从而减少对邻近的半导体装置的不利影响。此外，导电薄膜10可以吸收外界的电磁干扰信号，将电磁信号的能量转化为电涡流，减少对芯片的干扰，确保芯片在外界存在电磁干扰的情况下工作。同时，导电薄膜可以作为返回地信号的辅助路径。

但是随着电子产品的不断发展，对防止电磁干扰的要求越来越高，对信号完整性的需求不断提高，目前亟需一种能够实现良好的电磁隔离以及更优越的信号完整性表现的半导体封装件以及相关的制备工艺。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种包含嵌入式电容器的半导体封装件，所述半导体封装件能够在双层导电薄膜和置于双层导电薄膜之间的电容器的作用下，使外界传导至半导体封装件的电磁干扰信号衰减，从而减小电磁信号的干扰。另外，由于双层导电薄膜分别电连接至电源信号和地信号之间，因此电容器直接对半导体封装件进行电源的退耦，这更有利于信号完整性。

本发明的示例性实施例还涉及一种制备包含嵌入式电容器的半导体封装件的方法，通过该方法即可实现具有良好的电磁隔离以及更优越的信号完整性的半导体封装件。此外，该方法的工艺流程简单，易于实现。

根据本发明的一方面，一种包含嵌入式电容器的半导体封装件可以包括：基板；至少一个芯片，位于基板上并与基板电连接；第一塑封材料，设置在基板上并包封所述至少一个芯片；第一导电薄膜，覆盖第一塑封材料的外表面；第二导电薄膜，包覆第一导电薄膜；电容器，位于第一导电薄膜和第二导电薄膜之间，电容器的两极分别电连接至第一导电薄膜和第二导电薄膜；以及第二塑封材料，位于第一导电薄膜和第二导电薄膜之间并包封电容器。

根据本发明的一方面，一种用于制备包含嵌入式电容器的半导体封装件的方法可以包括下述步骤：使第一塑封材料包封安装在基板上的至少一个芯片；将第一导电薄膜覆盖第一塑封材料的外表面；使电容器的一个电极与第一导电薄膜电连接；利用第二塑封材料包封第一导电薄膜和电容器，并暴露电容器的另一电极；将第二导电薄膜覆盖第二塑封材料的外表面，并且使电容器的被暴露的电极与第二导电薄膜电连接，其中，第一导电薄膜电连接至电源信号，第二导电薄膜电连接至地信号。

附图说明

通过下面结合附图对示例性实施例进行的描述，本领域技术人员可以更好地理解本发明。应该理解的是，附图中的各个部件不必按比例绘制。相反地，为了清楚起见，在附图中可以任意地增大或减小各个部件的尺寸。另外，在整个说明书和附图中相同的附图标记始终表示相同的元件。在附图中：

图1是示出根据现有技术的防止电磁干扰的半导体封装件的剖视图；

图2是示出根据本发明的第一示例性实施例的嵌入有电容器的半导体封装件的剖视图；

图3是示出根据本发明的第二示例性实施例的嵌入有电容器的半导体封装件的剖视图；

图4是示出根据本发明的第三示例性实施例的嵌入有电容器的半导体封装件的剖视图；

图5a至图5c是示出制备根据本发明的第三示例性实施例的半导体封装件的工艺流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。本领域技术人员应当理解，仅以说明性的意义来提供这些实施例，而不应被解释为限制本发明的范围。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

图2是示出根据本发明的示例性实施例的防止电磁干扰的半导体封装件的剖视图。