[发明专利]外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型

权利要求书

1.一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于，所述建模方法至少包括：

(1)提取单一器件尺寸、规模以及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数；

(2)根据步骤(1)中提取的工艺模型参数和器件模型参数，建立不同器件尺寸和规模以及不同工艺条件下的工艺模型和器件模型；

(3)依据实验流片的参数测试结果校验不同器件尺寸、规模及不同工艺条件下的工艺模型参数和器件模型参数；

(4)根据步骤(3)中校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；

(5)利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系；

(6)依据步骤(5)中得到的二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，校验二极管阵列器件的工艺优化条件。

2.根据权利要求1所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(1)中提取单一器件尺寸、规模以及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数中包括步骤：(a)建立不同掺杂杂质在硅中的扩散模型；(b)依据各掺杂杂质分布的多源空间数据无缝集成校准各掺杂杂质在硅中的扩散模型；(c)提取一组单一尺寸、规模以及基准工艺条件下的工艺模型参数，以此来搭建N*N外延双沟道隔离二极管阵列的器件结构。

3.根据权利要求2所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(a)中的所述掺杂杂质包括砷、磷、硼、氟化硼和锗。

4.根据权利要求2所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(c)中的所述工艺模型参数包括PN结面积、硅外延层厚度、浅槽隔离深度、位线隔离宽度、字线隔离宽度、字线埋层中砷掺杂浓度、字线填充工艺最高温度、字线填充工艺时间。

5.根据权利要求4所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(1)中提取单一器件尺寸、规模以及基准工艺条件下的二极管阵列器件的器件模型参数包括步骤：(d)在Sdevice平台上建立单一尺寸、规模以及基准工艺条件下的器件电学模型：(e)采用四端口仿真的方法表征器件电学性能，并进行单个二极管的二端口IF、IR和四端口IF、IW、ID、IB的电学测试：(f)根据实测数据校准器件模型参数，同时提取表征二极管阵列性能的指标。

6.根据权利要求5所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述表征二极管阵列性能的指标包括：二极管串联电阻R_s、与电极的接触电阻R_CT、金属互连线电阻R_M、字线与字线间的漏电流IWL。

7.根据权利要求6所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(2)中建立不同器件尺寸和规模以及不同工艺条件下的工艺模型的步骤包括：(g)对所述基准工艺条件下二极管阵列器件中工艺参数的测试结果进行分组实验；(h)在Sprocess平台上建立不同器件尺寸和不同阵列规模的二极管阵列工艺模型。

8.根据权利要求7所述的外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于：所述步骤(2)中建立不同器件尺寸和规模以及不同工艺条件下的器件模型的步骤包括：(i)依据所述步骤(h)中所建立的二极管阵列工艺模型，提取不同器件尺寸、规模和不同工艺条件的器件电学特性参数；(j)根据仿真结果初步确定优选的工艺条件参数。