[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410707086.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104409355A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(S1)：提供一衬底；
步骤(S2)：在衬底上形成图案化的掩膜光阻；
步骤(S3)：对步骤(S2)掩膜光阻露出的衬底进行刻蚀，形成U型腔；
步骤(S4)：将步骤(S2)形成掩膜光阻去除；
步骤(S5)：利用热氧化技术对步骤(S3)形成的U型腔进行表面氧化处理，以在U型腔表面形成一层氧化层；
步骤(S6)：刻蚀步骤(S5)形成的氧化层，以扩大步骤(S5)的U形腔的容积；
步骤(S7)：采用硅或锗或者锗硅合金在所述步骤(S6)中扩大容积的U形腔中进行外延生长。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述(S6)中的刻蚀采用湿法刻蚀。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述(S6)中的刻蚀采用等离子气体刻蚀。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述步骤(S3)中刻蚀采用湿法刻蚀。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述步骤(S3)中刻蚀采用等离子气体刻蚀。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底为锗衬底。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅锗合金衬底。
9.如权利要求1所述的半导体器的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为PMOS器件。
10.如权利要求1所述的半导体器的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为PMOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
