[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的隔离结构、位于所述隔离结构和所述衬底之间的第一衬垫层以及位于所述第一衬垫层和所述隔离结构之间的第二衬垫层；

在基底上形成栅极结构；

在所述基底和所述栅极结构上覆盖用于保护所述栅极结构的保护层；

在栅极结构两侧的基底内形成凹槽；

向所述凹槽内填充半导体材料，以形成应力层；

对所述半导体材料进行离子掺杂，形成源区和漏区；

在覆盖保护层的步骤之后，在填充半导体材料形成应力层的步骤之前，所述半导体器件的形成方法还包括：采用含氟气体对所述半导体器件进行干法清洗，而且所述含氟气体干法清洗中所述第二衬垫层的去除速率小于所述第一衬垫层的去除速率。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成基底的步骤包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成沟槽；

在所述沟槽底部和侧壁覆盖第一衬垫层；

在所述第一衬垫层表面覆盖第二衬垫层；

在形成有第一衬垫层和第二衬垫层的所述沟槽内填充绝缘材料，以形成隔离结构。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层的材料为氧化硅，所述第二衬垫层的材料为氮化硅。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二衬垫层的厚度在以上。

5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第二衬垫层的步骤包括：采用化学气相沉积、原子层沉积的方式形成所述第二衬垫层。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层包括依次形成的氧化物层和氮化物层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述在栅极结构两侧的基底内形成凹槽的步骤包括：

以所述栅极结构为掩模，对所述栅极结构两侧的保护层进行第一刻蚀，在所述保护层中形成能露出所述基底表面的开口；

对所述开口露出的基底进行第二刻蚀，在基底内形成凹槽；

所述半导体器件的形成方法包括：在形成保护层、第一刻蚀、第二刻蚀以及填充半导体材料的任意两个步骤之间执行一次或多次所述含氟气体干法清洗的步骤。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述含氟气体干法清洗采用的气体包括NF₃和NH₃。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述含氟气体干法清洗中所述NF₃气体的流量为35～100sccm，所述NH₃的流量为10～400sccm，清洗时间为1～60s，射频功率为5～100W，清洗环境的气压范围为0.5～20Torr；温度范围为20～170℃。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，含氟气体干法清洗步骤包括：

在反应腔中产生等离子态的清洗剂；

利用所述清洗剂对半导体器件进行清洗；

在大于100℃的温度下对经过清洗的半导体器件进行加热；

对经过加热的半导体器件进行退火。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述利用所述清洗剂对半导体器件进行清洗的温度维持在35℃。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成凹槽之后，向所述凹槽内填充半导体材料的步骤之前，所述的半导体器件的形成方法还包括：对所述凹槽进行预清洗；在预清洗步骤之后进行所述含氟气体干法清洗。