[发明专利]集成系统、集成系统操作方法以及膜处理方法

说明书

本发明公开了一种集成系统操作方法，该方法包括以下步骤：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息。将衬底从计量装置移至邻近转移装置的工艺装置。将膜信息发送至工艺装置。根据膜信息对衬底施加膜处理。本发明还涉及集成系统以及膜处理方法。

技术领域

本发明涉及集成系统、集成系统操作方法和膜处理方法。

背景技术

随着科学和技术的发展，存在用于施加连续处理的不同种类的工艺设备以制造诸如TFT器件、LED器件和晶圆衬底的半导体产品。

为了控制半导体产品的质量，需要用于测量衬底的沉积膜的计量设备。例如，湿蚀刻设备可以蚀刻形成在衬底上的膜。蚀刻膜之后，可以通过载体将衬底移动至检验台，诸如可以测量衬底的膜厚度的椭圆偏振计。如果膜的厚度太厚，需要设定用于干蚀刻设备或湿蚀刻设备的蚀刻配方以来降低膜的厚度。如果膜的厚度太薄，可以将衬底刮掉或需要通过膜沉积工具升高衬底。

然而，检验台可以远离上述的工艺设备，检查、沉积和蚀刻衬底的膜的循环时间难以减小。而且，需要根据从椭圆偏振计测得的膜信息手动地计算沉积时间或蚀刻时间。因此，由于不同的使用者的经验，不能改进衬底的工艺控制。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成系统，包括：工艺装置，用于对衬底施加膜处理；计量装置，直接邻近所述工艺装置以测量所述衬底的膜；以及转移装置，用于在所述工艺装置和所述计量装置之间移动所述衬底。

在上述集成系统中，所述计量装置包括：发送器，用于将光发射至所述衬底的膜；以及接收器，电连接至所述发送器并且接收由所述衬底的膜反射的光以获得膜信息。

在上述集成系统中，还包括：膜分析单元，电连接至所述接收器以根据所述膜信息自动地选择用于所述工艺装置的配方。

在上述集成系统中，所述膜分析单元位于所述计量装置或所述工艺装置内。

在上述集成系统中，所述计量装置包括：工作台，用于支撑所述衬底；以及电动机，连接至所述工作台以使所述工作台旋转。

在上述集成系统中，所述转移装置电连接至所述工艺装置和所述计量装置。

在上述集成系统中，所述工艺装置是化学汽相沉积室、物理汽相沉积室、干蚀刻室或湿蚀刻室。

在上述集成系统中，所述计量装置包括椭圆偏振计或自动光学检查装置。

根据本发明的另一方面，还提供了一种集成系统操作方法，包括：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息；将所述衬底从所述计量装置移动至邻近转移装置的工艺装置；将所述膜信息发送至所述工艺装置；以及根据所述膜信息对所述衬底施加膜处理。

在上述集成系统操作方法中，测量所述衬底的膜还包括：驱动发送器和接收器以获得所述膜信息。

在上述集成系统操作方法中，测量所述衬底的膜还包括：使支撑所述衬底的工作台旋转。

在上述集成系统操作方法中，还包括：根据所述膜信息自动地选择用于所述工艺装置的配方。

在上述集成系统操作方法中，将所述膜信息发送至所述工艺装置还包括：将所述膜信息发送至与所述工艺装置和所述计量装置电连接的控制系统。

根据本发明的又一方面，还提供了一种膜处理方法，包括：将衬底载入包括计量装置和工艺装置的集成系统中；通过所述集成系统的计量装置测量所述衬底的膜以获得第一膜信息；以及根据所述第一膜信息自动地选择用于所述集成系统的工艺装置的第一配方。

在上述膜处理方法中，还包括：根据所述第一配方通过所述工艺装置对所述衬底施加第一膜处理，从而改进所述膜的厚度。