[发明专利]改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法

权利要求书

1.一种改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：

第一步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离；

第二步骤：对衬底进行阱注入以在衬底中形成N型阱或P型阱；

第三步骤：在衬底上制作栅极氧化层，并在栅极氧化层上淀积栅极多晶硅，并进行栅极多晶硅的光刻，从而形成栅极结构；

第四步骤：通过原子淀积在衬底表面生成二氧化硅保护层；

第五步骤：对衬底进行I/O轻掺杂注入以形成I/O器件漏轻掺杂结构；

第六步骤：制作用于PMOS的第一栅极侧墙；

第七步骤：进行PMOS轻掺杂注入以形成PMOS器件漏轻掺杂结构；

第八步骤：执行SMT预处理并随后执行锗硅外延生长工艺；

第九步骤：制作用于NMOS的第二栅极侧墙；

第十步骤：对硅进行NMOS轻掺杂注入以形成NMOS器件漏轻掺杂结构；

第十一步骤：进行源漏注入并进行热处理形成源漏极。

2.根据权利要求1所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，第八步骤包括：首先进行SMT光刻；随后执行NMOS低温碳离子注入以形成非晶态；随后进行锗硅生长阻挡氮化硅层沉积，所述锗硅生长阻挡氮化硅层为SMT张应力氮化硅层；然后进行锗硅工艺处理。

3.根据权利要求2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，锗硅工艺处理包括：进行光刻以使得PMOS区域暴露出来，进行硅凹陷刻蚀以去除PMOS区域的氮化硅层，然后进行热处理以使得SMT应力施加于NMOS区域，并随后执行锗硅外延生长。

4.根据权利要求1至3之一所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，在第七步骤中，在PMOS轻掺杂注入之后不进行退火处理。

5.根据权利要求1或2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于还包括：制作硅化物、金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。

6.根据权利要求1或2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，所述改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法用于制造CMOS器件。

7.根据权利要求1或2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，制作用于PMOS的第一侧墙包括SiN的淀积和刻蚀。

8.根据权利要求1或2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，制作用于NMOS的第二栅极侧墙包括SiO₂和SiN的淀积和刻蚀。

9.根据权利要求1或2所述的改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底。