[发明专利]嵌入式锗硅器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410697459.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409505A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周军;朱亚丹;曾真 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种嵌入式锗硅器件的制作方法，其特征在于，包括：
在一半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极以及围绕在栅极和栅极介电层的两侧的第一侧墙；
以所述栅极和第一侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底的源/漏区以形成第一凹槽；
在第一凹槽中填充第一锗硅，所述第一锗硅的上表面不低于所述半导体衬底上表面；
在所述第一锗硅上形成围绕所述第一侧墙的第二侧墙；
以所述第二侧墙、第一侧墙和栅极为掩膜，刻蚀未被第二侧墙覆盖的第一锗硅和半导体衬底以形成第二凹槽；
在所述第二凹槽中填充第二锗硅，所述第一锗硅和第二锗硅的锗浓度不同。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度大于
3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度大于
5.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度为
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一锗硅和第二锗硅的上表面齐平或成阶梯状。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二凹槽中外延生长第二锗硅的步骤之前或之后，去除所述第二侧墙。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一凹槽之后和/或形成第二凹槽之后，热处理所述半导体衬底，和/或，氧化处理所述半导体衬底并去除形成的氧化层。
9.一种嵌入式锗硅器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，
依次形成于半导体衬底上的栅极介电层、栅极以及围绕所述栅极的侧墙，
嵌入在栅极至少一侧的半导体衬底中且横向排列、锗浓度不同的第一锗硅和第二锗硅，第一锗硅和第二锗硅的底部呈阶梯状，用于形成PMOS器件的源/漏极。
10.如权利要求9所述的嵌入式锗硅器件，其特征在于，所述第一锗硅的厚度大于所述第二锗硅的厚度大于
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