[发明专利]一种缺陷检测方法有效
申请号: | 201410697386.6 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104465441B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 郭贤权;姬峰;许向辉;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
本发明涉及缺陷检测技术领域,尤其涉及一种缺陷检测方法,本发明通过利用缺陷检测设备获取扫描机台扫描待测芯片的扫描方式信息,并采用与该扫描方式信息一一对应的方式对待测芯片进行缺陷检测,实现了缺陷检测设备侦测方法可变且多重,从而解决了由于扫描机台扫描方式不同造成缺陷检测设备再侦测失败的情况,大大提高了缺陷定位的准确性,提高了缺陷检测的效率。
技术领域
本发明涉及缺陷检测技术领域,尤其涉及一种缺陷检测方法。
背景技术
先进的集成电路制造工艺一般都包含几百步的工序,任何环节的微笑错误都会导致整个芯片的失效,特别是随着电路关键尺寸的不断缩小,其对工艺控制的要求越来越严格,所以在生产过程中为能及时的发现和解决问题,一般对产品进行在线缺陷检测。
当今半导体业界线上进行缺陷检测主要依靠各种扫描机台进行扫描后,再通过目检机台将扫描得到的缺陷拍摄图像。目前主要的目检机台有扫描电子显微镜和光学显微镜。在110纳米线宽及以下的产品目检中,扫描电子显微镜是主要的目检工具,其定位缺陷的方法是:根据扫描机台给予的缺陷坐标,扩大一定的范围作为搜索区域,将此区域的图像与邻近芯片的相同坐标区域图像作比较,差异超过阈值的点定义为缺陷位置,进行拍摄。此种方法只有在扫描机台的扫描方式是D2D(芯片和邻近芯片对比方式)时才能工作,扫描方式为邻近芯片对比方式的结构示意图如图1a所示。若扫描方式采用阵列对比方式或者完美芯片对比方式,就会出现无法定位缺陷位置的情况,且若出现此种情况,在线操作人员很难分辨缺陷检测设备缺陷再侦测失败的原因,扫描方式为阵列对比方式的结构示意图如图1b所示,扫描方式为完美芯片方式的结构示意图如图1c所示。
中国专利(公开号:CN103604814A)公开了一种芯片缺陷的检测方法,包括如下步骤:提供一芯片组和一光学检测设备;设定第一焦距值,所述光学检测设备采用所述第一焦距值对所述芯片组进行起始扫描,并将起始扫描结果存储在数据库中;设定第二焦距值,所述光学检测设备采用所述第二焦距值对所述芯片组进行返回扫描,并将返回扫描结果存储在数据库中;叠加所述数据库中的起始扫描结果和返回扫描结果,并将叠加后的扫描结果和芯片的正常扫描结果进行比对来确定缺陷的位置。采用该发明的芯片缺陷的检测方法,提高了芯片缺陷检测的精度,且操作简单方便,从而提高了芯片缺陷检测的效率。
中国专利(公开号:CN103646899A)公开了一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:检测晶圆上各芯片区的膜厚;根据各芯片区的膜厚分布信息将晶圆表面划分为多个检测区,每一检测区包括至少一芯片区;为每一检测区选用一确定波长的检测光束,以使在各检测光束投射下的、结构相同的芯片区灰度特征相近;以各检测光束逐次投射于与其对应的检测区中的每一芯片区,依据该芯片区的灰度特征检测该芯片区的缺陷。其提高了对于膜厚分布不均匀的晶圆的适应性,且显著提高了缺陷识别率,其精度高、实现成本低、利于在行业领域内推广。
上述两件专利虽然都公开了芯片缺陷的检测方法,但其所采用的技术方案与本发明并不相同。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种缺陷检测方法,以解决现有技术中在芯片缺陷检测过程中,扫描机台扫描方式的变换会导致无法定位缺陷位置的问题。
为了实现上述目的,本发明公开了以下技术方案:
一种缺陷检测方法,其中,包括如下步骤:
提供待测芯片;
采用一扫描机台对所述待测芯片进行缺陷扫描;
获取所述扫描机台扫描所述待测芯片的扫描方式信息;
根据所述扫描方式信息,对所述待测芯片进行缺陷检测。
上述的缺陷检测方法,其中,所述方法还包括:
利用缺陷检测设备获取所述扫描机台扫描所述待测芯片的扫描方式信息;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造