[发明专利]一种缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201410697386.6 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104465441B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郭贤权;姬峰;许向辉;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供待测芯片；
采用一扫描机台对所述待测芯片进行缺陷扫描，获取所述待测芯片上缺陷的坐标；
获取所述扫描机台扫描所述待测芯片的扫描方式信息；
根据所述扫描方式信息，并根据获取的所述待测芯片上缺陷的坐标对所述待测芯片进行缺陷检测；
所述方法还包括：
利用缺陷检测设备获取所述扫描机台扫描所述待测芯片的扫描方式信息；
继续利用所述缺陷检测设备根据所述扫描方式信息，对所述待测芯片进行缺陷检测；
利用所述缺陷检测设备根据所述扫描方式信息，对所述待测芯片进行缺陷检测的步骤为：
利用所述缺陷检测设备采用与所述扫描方式信息一一对应的方式对所述待测芯片进行缺陷检测；
其中，所述扫描方式信息包括芯片与邻近芯片对比方式、阵列对比方式和完美芯片对比方式中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测设备为电子缺陷检测设备或光学缺陷检测设备。
3.如权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述电子缺陷检测设备为扫描电子显微镜。
4.如权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述电子缺陷检测设备为光学显微镜。
5.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法应用于半导体线上进行缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
