[发明专利]一种处理光罩污染颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种处理光罩污染颗粒的方法。

背景技术

在半导体生产制造中，经常会遇到光罩被超出规格但肉眼不可见微颗粒污染情况，需要及时处理才可使生产正常进行。

光罩污染颗粒物超出规格后，目前业界普遍使用风吹方式进行清除。一旦污染颗粒无法清除掉或无法定位找到，就只能将光罩返厂清洗或修补，从而造成生产损失。

因此，如何找到一种处理光罩污染颗粒的方法以有效降低由于污染颗粒无法彻底清除而需要光罩返厂清洗或修补所造成的生产损失，成为本领域技术人员所致力于研究的方向。

中国专利(公开号：CN103926787A)公开了一种颗粒清理装置，通过驱动装置驱动回收装置对设备环境中的颗粒进行吸附回收，有效的对设备环境中角落处颗粒的清理，避免了人工手动擦拭需要耗费大量的人力物力且洁净效果不佳的现象，提高了设备环境颗粒的洁净度，进而提高了光罩的洁净度。

中国专利(公开号：CN103926786A)公开了一种光罩静电除尘装置，在光罩上下表面分别放置阴极板和阳极板，并且在阴极板和阳极板两端施加一定的电压，使阴极板和阳极板之间形成高压电场，由于阴极发生放电，使带负电的气体离子在电力场的作用下向阳极板运动，在运动中与光罩表面的颗粒相碰，使颗粒荷以负电，荷电后的颗粒在电场力的作用下，亦向阳极板运动，使颗粒沉积于阳极板上，从而到达将光罩表面颗粒完全移除的目的。

上述两件专利均未公开本发明为有效降低由于污染颗粒无法彻底清除而需要光罩返厂清洗或修补所造成的生产损失而提出的处理光罩污染颗粒的方法。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明公开一种处理光罩污染颗粒的方法，以解决现有技术中由于使用风吹方式进行污染颗粒清除无法彻底清除掉或无法定位找到污染颗粒，而只能将光罩返厂清洗或修补，从而造成生产损失的问题。

为了实现上述目的，本发明公开了一种处理光罩污染颗粒的方法，其中，包括如下步骤：

步骤S1，在所述光罩的非曝光区域设置一定位颗粒；

步骤S2，计算所述光罩上的待清理颗粒与所述定位颗粒的相对距离；

步骤S3，根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理；

步骤S4，对所述定位颗粒进行清理。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述定位颗粒尺寸大于设定尺寸。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述步骤S2还包括：

采用光罩颗粒检测机检出所述待清理颗粒和所述定位颗粒的位置后，计算所述光罩上的待清理颗粒与所述定位颗粒的相对距离。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，在所述步骤S3中，根据所述相对距离采用无尘棉签对所述待处理颗粒进行清理。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，在所述步骤S4中，采用风吹或无尘棉签擦拭方法对所述定位颗粒进行清理。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述无尘棉签为经过高压氮气枪吹扫过的棉签。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述方法还包括：

步骤S5，使用光罩颗粒检测机对清理结果进行确认。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述待清理颗粒位于所述光罩的曝光区域内。

上述的处理光罩污染颗粒的方法，其中，所述待清理颗粒的尺寸小于所述设定尺寸。

上述发明具有如下优点或者有益效果：

本发明公开了一种处理光罩污染颗粒的方法，通过在光罩的非曝光区域设置一肉眼可见且易清除的定位颗粒后，使用光罩颗粒检测机检测出该定位颗粒以及待清理颗粒的位置，并计算光罩上的待清理颗粒与定位颗粒的相对距离，根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理；最后继续对定位颗粒进行清理，从而有效去除了光罩上的污染颗粒，排除了生产上断线的危险，提高了晶圆的良率，降低了由于光罩污染颗粒所引起的生产损失。

具体附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1是本发明实施例中处理光罩污染颗粒的方法的流程图；

图2是本发明实施例中计算光罩上的待清理颗粒与定位颗粒的相对距离的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。