[发明专利]一种处理光罩污染颗粒的方法在审
申请号: | 201410697385.1 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104407498A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 贾洪民;李德建;陈力均;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 污染 颗粒 方法 | ||
1.一种处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,在所述光罩的非曝光区域设置一定位颗粒;
步骤S2,计算所述光罩上的待清理颗粒与所述定位颗粒的相对距离;
步骤S3,根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理;
步骤S4,对所述定位颗粒进行清理。
2.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述定位颗粒尺寸大于设定尺寸。
3.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:
采用光罩颗粒检测机检出所述待清理颗粒和所述定位颗粒的位置后,计算所述光罩上的待清理颗粒与所述定位颗粒的相对距离。
4.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,在所述步骤S3中,根据所述相对距离采用无尘棉签对所述待处理颗粒进行清理。
5.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,在所述步骤S4中,采用风吹或无尘棉签擦拭方法对所述定位颗粒进行清理。
6.如权利要求4或5任一项所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述无尘棉签为经过高压氮气枪吹扫过的棉签。
7.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述方法还包括:
步骤S5,使用光罩颗粒检测机对清理结果进行确认。
8.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述待清理颗粒位于所述光罩的曝光区域内。
9.如权利要求1所述的处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,所述待清理颗粒的尺寸小于所述设定尺寸。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备