[发明专利]一种采用存储器监测器件制程余量的方法

权利要求书

1.一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，

提供一容量为64M的存储器，所述存储器包括有16个存储单元，每个存储单元包括有4个存储量为1M的块，每个所述块内部包括有一个存储地址，每个所述存储地址与一个IO端口一一对应，所述存储器通过IO端口读入被监测器件的数据；

其中，8个存储单元用于读取所述被监测器件的关键层的数据，另8个存储单元用于读取体现所示被监测器件的低工作电压良率的数据；

根据存入块中数据的数量获取所述器件的制程余量。

2.如权利要求1所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1.将所述被监测器件的关键层的分类分别存储于相应的所述块中；所述关键层包括四类：有源区、栅极、连接孔和通孔；

步骤2.将所述被监测器件按照体现低工作电压良率的数据分别存储于相应的所述块中；体现低工作电压的良率包括五类数据：多晶硅到连接孔的距离、离子注入的尺寸、多晶硅到掩膜层的距离、传输饱和电流与上拉饱和电流之比、电流放大倍数；

步骤3.根据存入块中的数据数量获取所述器件的制程余量。

3.如权利要求2所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，步骤1中将所述被监测器件的关键层的分类分别存储的具体过程为：

将8个存储单元按照关键层的分类平均分为4个区域，每个区域用于读取一类关键层的尺寸，所述8个存储单元为用于读取被监测器件的关键层的尺寸的存储单元。

4.如权利要求3所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，每个所述区域中两个所述块用于读取标准数据Q；其余的6个所述块分别用于读取：(Q-15％,Q-10％]，(Q-10％,Q-5％]，(Q-5％,Q]，(Q,Q+5％]，(Q+5％,Q+10％]和(Q+10％,Q+15％]。

5.如权利要求2所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，步骤2中将所述被监测器件按照体现低工作电压良率的数据分别存储的具体过程为：

将8个存储单元按照关键层的分类平均分为4个区域，其中3个区域分别用于读取：所述离子注入的尺寸、所述传输饱和电流与上拉饱和电流之比和所述电流放大倍数；

另一个区域中的4个所述块用于读取多晶硅到连接孔的距离；另4个所述块用于读取多晶硅到掩膜层的距离；所述8个存储单元为用于读取体现所示被监测器件的低工作电压良率的数据的存储单元。

6.如权利要求5所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，所述3个区域中每个所述区域中两个所述块用于读取标准数据P；其余的6个所述块分别用于读取：(P-15％,P-10％]，(P-10％,P-5％]，(P-5％,P]，(P,P+5％]，(P+5％,P+10％]和(P+10％,P+15％]。

7.如权利要求5所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，所述4个用于读取多晶硅到连接孔的距离的所述块中有一个所述块用于读取的数据P；其余的3个所述块分别用于读取：(P-15％,P-10％]，(P-10％,P-5％]和(P-5％,P]；

所述4个用于读取多晶硅到掩膜层的距离的所述块中有一个所述块用于读取的数据P；其余的3个所述块分别用于读取：(P,P+5％]，(P+5％,P+10％]和(P+10％,P+15％]。

8.如权利要求7所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，步骤3中根据存入块中的数据数量获取所述器件的制程余量的具体过程为：

将读取所述被监测器件的所述块的数据进行统计，若非标准数据的个数超出总数据个数的十万分之一，则所述被监测器件的制成余量失效；若非标准数据的个数未超出总数据个数的十万分之一，则所述被监测器件合格。

9.如权利要求1所述一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，所述存储器为静态随机存储器。