[发明专利]封装RF功率晶体管器件和RF功率放大器

权利要求书

1.一种封装射频功率晶体管器件，具体在从DC到3GHz的频率范围内操作的功率放大器中使用，所述封装射频功率晶体管器件(100、200、300、400、500)包括：

组件载体(254、256)，

管芯(110、210a)，所述管芯(110、210a)包括具有源极(112s)、栅极(112g)和漏极(112d)的半导体晶体管，其中所述管芯(110、210a)安装在所述组件载体(254、256)处，

接地连接(232a)，所述接地连接(232a)电连接到所述源极(112s)，

输出端引线(136、236a)，所述输出端引线(136、236a)电连接到所述漏极(112d)，

谐振电路(122)，所述谐振电路(122)电插入到所述漏极(112d)与所述接地连接(232a)之间，以及

视频引线(134、234)，所述视频引线(134、234)电连接到所述谐振电路(122)，其中，

所述视频引线(134、234)被配置为连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点，以及

所述接地连接(232a)被配置为连接到所述解耦电容器(144、244)的第二接触点。

2.根据权利要求1所述的封装射频功率晶体管器件，其中，所述组件载体包括：

凸缘(256)，所述凸缘(256)提供对所述管芯(210a)的支撑，以及

金属块(254)，所述金属块(254)提供对所述凸缘(256)的支撑。

3.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，其中，

包含在所述管芯中的所述半导体晶体管是金属氧化物半导体器件。

4.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，其中，

所述接地连接是接地引线(232a)，以及

所述接地引线(232a)和所述视频引线(234)在空间上彼此相邻地布置。

5.根据权利要求4所述的封装射频功率晶体管器件，还包括：

另一接地引线(232b)，其中所述视频引线(234)被布置在所述接地引线(232a)与所述另一接地引线(232b)之间。

6.根据权利要求4所述的封装射频功率晶体管器件，还包括：

另一视频引线，其中所述接地引线被布置在所述视频引线与所述另一视频引线之间。

7.根据权利要求4至6之一所述的封装射频功率晶体管器件，还包括：

附加接地引线(482a)，所述附加接地引线(482a)电连接到所述接地引线(232a)，以及

附加视频引线(484)，所述附加视频引线(484)电连接到所述视频引线(234)，其中，

关于所述射频功率晶体管器件(400)的所述封装的第一侧面，在所述第一侧面处，所述接地引线(232a)和所述视频引线(234)被引导通过所述封装到达所述封装外部，所述附加接地引线(482a)和所述附加视频引线(484)被布置在所述封装的第二侧面，其中所述第二侧面与所述第一侧面相对。

8.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，其中，

所述附加接地引线(482a)和/或所述附加视频引线(484)被至少近似地布置在分别与所述接地引线(232a)和所述视频引线(234)相同的高度水平。

9.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，其中，所述管芯包括：

有源半导体管芯(210a)，以及

无源管芯(360)，其中，

所述有源半导体管芯(210a)和所述无源管芯(360)在空间上彼此分离。

10.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，还包括：

另一有源半导体管芯(210b)，所述另一有源半导体管芯(210b)包括具有另一源极、另一栅极和另一漏极的另一功率晶体管器件，其中所述另一有源半导体管芯(210b)被安装在所述组件载体(254、256)处。

11.根据前述权利要求之一所述的封装射频功率晶体管器件，其中，

所述无源管芯(360)位于所述有源半导体管芯(210a)与所述另一有源半导体管芯(210b)之间。