[发明专利]用于集成电路图案化的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于集成电路图案化的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，且与前一代IC相比，每一代IC均具有更小并且更复杂的电路。在IC的发展过程中，通常已经增大了功能密度(即，每个芯片区域的互连器件的数目)，而已经减小了几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小的组件(或线))。这种按比例缩小工艺通常通过增大生产效率并减小相关成本而提供益处。这种按比例缩小也增大了加工和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要对IC工艺和制造进行相似的发展。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括：使用第一掩模在衬底上方形成多条线；在所述衬底上方、所述多条线上方和所述多条线的侧壁上形成间隔件层；去除所述间隔件层的至少一部分以暴露所述多条线和所述衬底；收缩设置在所述多条线的侧壁上的所述间隔件层；以及去除所述多条线，从而在所述衬底上方提供图案化的间隔件层。

在上述方法中，进一步包括：至少使用所述图案化的间隔件层作为蚀刻掩模蚀刻所述衬底；以及在所述蚀刻之后，去除所述间隔件层。

在上述方法中，其中，形成所述多条线包括：在所述衬底上方形成光刻胶层；以及使用所述第一掩模图案化所述光刻胶层。

在上述方法中，其中，去除所述间隔件层的至少一部分包括各向异性蚀刻工艺。

在上述方法中，其中，去除所述间隔件层的至少一部分包括各向异性蚀刻工艺；其中，所述各向异性蚀刻工艺包括干蚀刻。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺；其中：所述间隔件层包括氮化钛或氧化钛；以及所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或SC1溶液。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺；其中：所述间隔件层包括氮化钛或氧化钛；以及所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或SC1溶液；其中，所述SC1溶液包括1:1:5的氢氧化铵(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和水(H₂O)的混合物。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺；其中：所述间隔件层包括氮化钛或氧化钛；以及所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或SC1溶液；其中，所述SC1溶液包括1:1:5的氢氧化铵(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和水(H₂O)的混合物；其中，在约25摄氏度和约80摄氏度之间的温度下实施收缩所述间隔件层。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺；其中：所述间隔件层包括氮化硅；以及所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或磷酸(H₂PO₄^-)。

在上述方法中，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺；其中：所述间隔件层包括氮化硅；以及所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或磷酸(H₂PO₄^-)；其中，在约25摄氏度和约80摄氏度之间的温度下实施收缩所述间隔件层。

在上述方法中，进一步包括：在形成所述间隔件层之前，修剪所述多条线。

根据本发明的另一个方面，提供了一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括：使用第一掩模图案化衬底，从而形成多个第一部件；在所述衬底上方和所述多个第一部件的侧壁上方形成间隔件层；各向异性地蚀刻所述间隔件层的至少一部分以暴露所述多个第一部件并暴露所述衬底；使用化学溶液清洗所述间隔件层以在控制的方式下减小所述间隔件层的厚度；以及去除所述多个第一部件。