[发明专利]用于集成电路图案化的方法

权利要求书

1.一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括：

使用第一掩模在衬底上方形成多条线；

在所述衬底上方、所述多条线上方和所述多条线的侧壁上形成间隔件层；

去除所述间隔件层的至少一部分以暴露所述多条线和所述衬底；

收缩设置在所述多条线的侧壁上的所述间隔件层；以及

去除所述多条线，从而在所述衬底上方提供图案化的间隔件层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

至少使用所述图案化的间隔件层作为蚀刻掩模蚀刻所述衬底；以及

在所述蚀刻之后，去除所述间隔件层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多条线包括：

在所述衬底上方形成光刻胶层；以及

使用所述第一掩模图案化所述光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述间隔件层的至少一部分包括各向异性蚀刻工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述各向异性蚀刻工艺包括干蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，收缩所述间隔件层包括使用选择性地适用于去除所述间隔件层的一部分而基本上不改变所述多条线和所述衬底的溶液的湿清洗工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述间隔件层包括氮化钛或氧化钛；以及

所述湿清洗工艺使用氢氟酸(HF)或SC1溶液。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述SC1溶液包括1:1:5的氢氧化铵(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和水(H₂O)的混合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在约25摄氏度和约80摄氏度之间的温度下实施收缩所述间隔件层。

10.一种方法，包括：

使用光刻工艺在衬底上方形成两条线，所述两条线在第一方向上具有第一尺寸；

在所述衬底上方、所述两条线上方和所述两条线的侧壁上沉积第一材料；

对所述第一材料实施各向异性蚀刻工艺以暴露所述衬底和所述两条线；

对所述第一材料实施湿清洗工艺以减小所述第一材料的厚度，从而使得设置在所述两条线的侧壁上的所述第一材料在所述第一方向上间隔开第二尺寸；以及

去除所述两条线。