[发明专利]一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201410686226.1 申请日: 2014-11-25
公开(公告)号: CN105609043B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 龙浩;阳光;张振华 申请(专利权)人: 联想(北京)有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示装置 及其 驱动 电路 方法
【说明书】:

发明公开了一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法,该驱动电路包括:扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置;扫描晶体管的栅极连接扫描信号,其源极连接数据信号;驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极,其漏极连接电压源,其源极通过发光二极管接地,其中,所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接,发光二极管的阴极接地;所述存储电容的一个极板连接所述电压源,另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极;光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接,所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。该驱动电路可以实现对发光二极管发光强度的测试。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,更具体的说涉及一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法。

背景技术

发光二极管根据化学性质划分为有机发光二极管(OLED)与无机发光二极管(LED)。采用发光二极管制备的显示装置由于其具有亮度高、使用寿命长以及可视角大等有点,成为当今主流显示装置种类之一。

现有的发光二极管制备的显示装置在进行性能测试时,只能测试整体所有像素单元中发光二极管的发光强度,不能进行单个像素的发光二极管的发光强度测试。

发明内容

为解决上述问题,本发明技术方案提供了一种显示装置及其驱动电路及其驱动方法,所述技术方案能够测试单个像素发光二极管的发光强度。

为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置的驱动电路,所述驱动电路包括:

一种显示装置的驱动电路,该驱动电路包括:扫描晶体管、驱动晶体管、存储电容以及光电流检测装置;

所述扫描晶体管的栅极连接扫描信号,其源极连接数据信号;

所述驱动晶体管的栅极连接所述扫描晶体管的漏极,其漏极连接电压源,其源极通过发光二极管接地,其中,所述发光二极管的阳极与所述驱动晶体管的源极连接,所述发光二极管的阴极接地;

所述存储电容的一个极板连接所述电压源,另一个极板连接所述驱动晶体管的栅极;

所述光电流检测装置与所述扫描晶体管的栅极连接,所述光电流检测装置用于在所述扫描晶体管断开后获取所述扫描晶体管因感测所述发光二极管发射光而产生的光电流。

优选的,在上述驱动电路中,所述扫描晶体管为底栅型TFT;

其中,所述底栅型TFT的源极电极以及漏极电极均为透明电极;所述底栅型TFT的漏极以及源极朝向所述发光二极管设置,用于获取所述发光二极管的发射光,所述底栅型TFT的栅极背离所述发光二极管设置。

优选的,在上述驱动电路中,所述透明电极为ITO电极、或纳米银电极、或石墨烯电极、或金属网格电极、或碳纳米管电极。

优选的,在上述驱动电路中,所述扫描晶体管为顶栅型TFT;

其中,所述顶栅型TFT的源极以及漏极朝向所述发光二极管设置,用于获取所述发光二极管的发射光,所述顶栅型TFT的栅极背离所述发光二极管设置。

优选的,在上述驱动电路中,所述扫描晶体管的栅极与源极采用非晶硅材料或是低温多晶硅材料制备。

优选的,在上述驱动电路中,所述发光二极管为有机发光二极管或是无机发光二极管。

优选的,在上述驱动电路中,所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为PMOS管。

优选的,在上述驱动电路中,所述扫描晶体管与所述驱动晶体管均为NMOS管。

本发明还提供了一种驱动方法,用于上述任一项所述的驱动电路,该驱动方法包括:

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