[发明专利]曝光装置和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及曝光装置和器件制造方法。

背景技术

已知地，液浸式曝光装置是具有高分辨率的曝光装置。液浸式曝光装置在投影光学系统的最终表面和基板之间填充液体，通过投影光学系统和液体将原稿图案投影到基板上，以对基板曝光。在液浸式曝光装置中，在最终表面和基板之间的液体中存在气泡的情况下，气泡会遮蔽和折射曝光光线，从而导致图案分辨率降低。因此，液浸式曝光装置使用经过脱气处理的液体。此外，在这种液浸式曝光装置中，在基板和测量板的周缘部设置辅助部件，以便抑制在基板周缘曝光时以及在进行测量(如对焦和校准)时的液体泄漏。日本专利申请特开平No.2011-109092公开了设置成用于抑制液体泄漏到辅助部件和测量板之间的间隙中的密封部件，其具有聚合物密封部和粘合剂层。

然而，如上所述的密封部件在与测量板和辅助部件接触的同时具有微小间隙。尽管在与浸液接触的部件如测量板、密封部件以及辅助部件的表面上控制了防水性，但微小间隙中存在气体。因此，当在测量板等上进行测量时将经过脱气处理的液体放置在密封部件上时，液体会溶解微小间隙中的气体。当密封部件的微小间隙中的气体溶解在液体中时，气体获得负压且液体进入微小间隙。由于已进入微小间隙的液体以大于浸液保持力的力滞留在微小间隙中，因此即使完成了在测量板等上的测量且浸液移动之后，液体还会遗留在微小间隙中。此外，浸液被微小间隙中的液体部分地吸引，会出现多的液体残留。特别地，在具有微小间隙的剖面结构形成一封闭空间且液体覆盖所有封闭空间的情况下，以及在已经进入微小间隙中的液体产生的分子间力大于液体的表面张力的情况下，出现覆盖所有封闭空间的液体膜残留。液体残留导致基板上的曝光精度降低，并且残留液体在测量板上干燥时会污染测量板，由此导致测量故障。

发明内容

本发明例如提供了一种曝光装置，其有利于在液浸曝光之后抑制测量板上出现液体残留。

根据本发明的一个方面，提供了一种曝光装置，其在液体填充在投影光学系统和基板之间的同时对基板曝光，该曝光装置包括：测量部件，布置在保持基板的基板台上，并处于基板台的基板保持表面侧；辅助部件，布置在基板台的基板保持表面侧，并与测量部件有一定间隙；以及密封部件，接触辅助部件的表面，布置成覆盖所述间隙，并用于抑制测量部件的表面或辅助部件的表面上的液体渗透到间隙中，其中，密封部件具有形成一空间的形状，在该空间中，在液体处于测量部件的表面上且液体接触密封部件的边缘的同时，测量部件的一部分表面接触气体。

从下面参考附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得明显。

附图说明

图1示出了根据本发明的一个实施例的曝光装置的示意性结构。

图2是根据本发明的一个实施例的晶片台的俯视图。

图3A示出了根据比较例的测量板附近的结构。

图3B是图3A所示比较例的测量板中的密封部件的放大图。

图4示出了根据第一实施例的测量板附近的结构。

图5示出了根据第二实施例的测量板附近的结构。

图6示出了根据第三实施例的测量板附近的结构。

具体实施方式

下文中，将参考附图描述本发明的优选实施例。

(第一实施例)

首先，将描述根据本发明第一实施例的曝光装置的结构。图1是示出了根据本实施例的曝光装置的结构的示意图。曝光装置是在半导体器件制造工艺中使用的步进扫描式液浸曝光装置，其用作一个示例。该液浸曝光装置在向投影光学系统的最终表面和晶片之间的空间(液浸区域)供给液体(浸液)18的同时把形成在掩模版(原稿)2上的图案(例如电路图案)曝光在晶片6(基板)上。在步进扫描式液浸曝光装置中，保持掩模版2的掩模版台(原稿台)3和保持晶片(基板)6的晶片台(基板台)7彼此同步地移动。该同步导致掩模版2上的整个图案通过投影光学系统4在晶片6上连续地形成图像，以对施加到晶片6表面的光刻胶进行曝光。应该注意，在图1中，在垂直于Z轴(即竖直方向)的平面中曝光时，Y轴沿掩模版2和晶片6的扫描方向对齐，X轴定位在垂直于Y轴的非扫描方向。此外，在本实施例中，Z轴和投影光学系统4的光轴平行。曝光装置具有照明系统1、掩模版台3、投影光学系统4、晶片台7和喷嘴19。