[发明专利]一种宽频高提取率的LED芯片结构及其设计方法在审
| 申请号： | 201410678856.4 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104362229A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋寻涯;方海闻 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽频 提取 led 芯片 结构 及其 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种宽频高提取率的LED芯片结构，其特征在于：其自下而上依次为：DBR反射层1，蓝宝石衬底2，缓冲层3，n型半导体层4，多量子阱层5，p型半导体层6，其中，p型半导体层6中设计了正方晶格的锥形光子晶体阵列。
2. 根据权利要求1所述的宽频高提取率的LED芯片结构，其特征在于：所述锥形光子晶体阵列的结构参数为：锥底直径在500±20nm，锥高度在300±10nm，正方晶格常数在400±25nm，锥高/直径在0.5～0.7。
3. 一种宽频高提取率的LED芯片结构的设计方法，其特征在于具体步骤为：
（1）在时域有限差分方法的基础上，利用FDTD软件构建一个带有锥形光子晶体结构的LED模型，包括在p型半导体层上设计正方晶格的锥形光子晶体阵列；
（2）基于时域有限差分法计算光在LED结构里面的演化，通过记录出射的光强，得到最终的光提取率；
（3）通过对锥形光子晶体结构参数：锥底半径d，锥高h，正方晶格常数a进行优化，实现不同可见光频段或者工程所需要的频段都有高的光提取率。
4. 根据权利要求3所述的宽频高提取率的LED芯片结构的设计方法，其特征在于锥形光子晶体阵列的结构参数为：锥底直径在500±20nm，锥高度在300±10nm，正方晶格常数在400±25nm，锥高/直径在0.5～0.7。
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