[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201410677951.2 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104934461B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 吴在焕;鲁花真;朴世勋;李源规;张荣真 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
有机发光二极管显示器包括衬底;位于衬底上的栅极布线;覆盖栅极布线的层间绝缘层;位于层间绝缘层上的数据布线;位于数据布线和层间绝缘层上并且具有保护开口的钝化层;位于数据布线中通过保护开口暴露的第一布线部分和层间绝缘层上的像素电极;位于钝化层上并且具有暴露像素电极的像素开口的像素限定层;覆盖像素电极的有机发射层;以及覆盖有机发射层和像素限定层的公共电极,其中,与数据布线的第一布线部分和层间绝缘层接触的像素电极具有凸出部和凹陷部。
技术领域
所描述的技术总体上涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括阳极和阴极的两个电极、和位于两个电极之间的有机发光层。阳极将空穴注入到发光层中,而阴极将电子注入到发光层中。所注入的电子和空穴结合以形成激子,激子在释放能量时发光。
这种有机发光二极管显示器包括多个像素,像素包括作为自发射型器件的有机发光二极管,其中用于驱动有机发光二极管的多个薄膜晶体管和存储电容器位于每个像素中。
为了改善有机发光二极管显示器的视角,凸出部和凹陷部被形成在由有机层制成的钝化层处。并且,对于大型电视的应用而言,在大型有机发光二极管显示器中,钝化层的厚度被增加以最小化数据布线与阴极之间的寄生电容。
然而,当通过将半色调光掩模应用到焊盘部分,以在大型有机发光二极管显示器的厚钝化层处形成凸出部和凹陷部时,凸出部和凹陷部被形成并且同时钝化层的厚度必需在焊盘部分中被减小以执行焊盘键合。可选地,必需添加与用于形成焊盘部分的掩模独立的掩模以在像素的钝化层中形成凸出部和凹陷部。
在背景技术部分公开的上述信息仅仅用于加强对本文所描述技术的背景的理解,并因此背景技术部分可包含不构成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方式提供在没有附加掩模的情况下产生的具有改善视角的大型有机发光二极管显示器。
根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括:衬底;形成在衬底上的栅极布线;覆盖栅极布线的层间绝缘层;数据布线,形成在层间绝缘层上,并且包括用于传送数据信号的数据线和与数据线绝缘的虚拟数据构件;形成在数据布线和层间绝缘层上并且具有保护开口的钝化层;形成在数据布线中通过保护开口暴露的第一布线部分和层间绝缘层上的像素电极;形成在钝化层上并且具有暴露像素电极的像素开口的像素限定层;覆盖像素电极的有机发射层;以及覆盖有机发射层和像素限定层的公共电极,其中,数据布线的第一布线部分包括虚拟数据构件,以及其中与所述数据布线的所述第一布线部分和所述层间绝缘层接触的所述像素电极具有凸出部和凹陷部。
所述像素电极的所述凸出部和所述凹陷部可以分别为与数据布线的第一布线部分接触的凸像素部分和与层间绝缘层接触的凹像素部分。
还可以包括形成在钝化层上并且与像素电极分离开的辅助电极,并且辅助电极可以与公共电极接触。
像素限定层可以具有暴露辅助电极的协助开口,并且公共电极可以通过协助开口与辅助电极接触。
数据布线可以包括与数据线绝缘的第二布线部分,并且辅助电极可以通过形成在钝化层中的接触孔连接至数据布线的第二布线部分。
辅助电极可以由与像素电极相同的材料形成。
栅极布线可以包括与数据布线的第二布线部分重叠的第一存储电极,并且数据布线的第二布线部分可以是第二存储电极。
栅极布线还可以包括传送扫描信号的扫描线。数据布线还可以包括:传送驱动电压的驱动电压线、传送补偿控制信号并且与扫描线相交的补偿控制线、与扫描线相交并且传送操作控制信号的操作控制线、以及与扫描线相交并且传送复位信号的复位控制线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的