[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201410677951.2 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104934461B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 吴在焕;鲁花真;朴世勋;李源规;张荣真 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
衬底;
栅极布线,位于所述衬底上;
层间绝缘层,覆盖所述栅极布线;
数据布线,位于所述层间绝缘层上,并且包括用于传送数据信号的数据线和与所述数据线绝缘的虚拟数据构件;
钝化层,位于所述数据布线和所述层间绝缘层上并且具有保护开口;
像素电极,位于所述数据布线中通过所述保护开口暴露的第一布线部分和所述层间绝缘层上;
像素限定层,位于所述钝化层上并且具有暴露所述像素电极的像素开口;
有机发射层,覆盖所述像素电极;以及
公共电极,覆盖所述有机发射层和所述像素限定层,
其中,所述数据布线的所述第一布线部分包括所述虚拟数据构件,以及
其中,与所述数据布线的所述第一布线部分和所述层间绝缘层接触的所述像素电极具有凸出部和凹陷部。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述像素电极的所述凸出部和所述凹陷部分别为与所述数据布线的所述第一布线部分接触的凸像素部分和与所述层间绝缘层接触的凹像素部分。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:
辅助电极,位于所述钝化层上并且与所述像素电极分离开,其中,所述辅助电极与所述公共电极接触。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述像素限定层具有暴露所述辅助电极的协助开口;以及
所述公共电极通过所述协助开口与所述辅助电极接触。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述数据布线包括与所述数据线绝缘的第二布线部分;以及
所述辅助电极通过形成在所述钝化层中的接触孔连接至所述数据布线的所述第二布线部分。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述辅助电极由与所述像素电极相同的材料形成。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述栅极布线包括与所述数据布线的所述第二布线部分重叠的第一存储电极;以及
所述数据布线的所述第二布线部分是第二存储电极。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述栅极布线还包括传送扫描信号的扫描线;
所述数据布线还包括用于传送驱动电压的驱动电压线、用于传送补偿控制信号并且与所述扫描线相交的补偿控制线、与所述扫描线相交并且配置成传送操作控制信号的操作控制线、以及与所述扫描线相交并且配置成传送复位信号的复位控制线。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中,所述有机发光二极管显示器还包括:
连接至所述扫描线和所述数据线的开关薄膜晶体管;
连接至所述补偿控制线的补偿薄膜晶体管;
连接至所述操作控制线和所述开关薄膜晶体管的操作控制薄膜晶体管;以及
连接至所述驱动电压线的驱动薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的