[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括顺序堆叠的衬底层、栅极绝缘层、金属氧化物层和金属层，其特征在于，所述方法包括：

在所述阵列基板上形成光刻胶层；

利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，经曝光显影后的光刻胶层在所述阵列基板的第一区域上的厚度小于在所述阵列基板的第二区域上的厚度，并且所述阵列基板的第三区域上不存在所述光刻胶层；

对未覆盖有光刻胶层的所述第三区域进行蚀刻，直至到达所述栅极绝缘层；

去除所述第一区域上的光刻胶层；

去除所述第一区域中的金属层；

去除所述第二区域上的光刻胶层；

对上述步骤形成的所述阵列基板进行离子注入，以在所述第一区域内形成电容，在所述第二区域内形成沟道，在所述第三区域内形成源漏极区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰度掩膜板，其中所述掩膜板的半透明区域对应于所述第一区域。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，当所述光刻胶层采用正性光刻胶时，所述掩膜板的半透明区域对应于所述第一区域，所述掩膜板的不透明区域对应于所述第二区域，所述掩膜板的透明区域对应于所述第三区域；当所述光刻胶层采用负性光刻胶时，所述掩膜板的半透明区域对应于所述第一区域，所述掩膜板的透明区域对应于所述第二区域，所述掩膜板的不透明区域对应于所述第三区域。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一区域上的光刻胶层包括：通过灰化工艺去除相同厚度的光刻胶，使所述第一区域上的光刻胶层被完全去除，而所述第二区域上仍保留有光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过一次所述离子注入同时形成所述阵列基板的所述电容、所述沟道和所述源漏极区。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述衬底层是多晶硅层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层是ITO层。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属层由钼构成。