[发明专利]栅极保护盖及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及栅极保护盖及其形成方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业已经经历了快速增长。集成密度的这种改进主要来自最小部件尺寸的反复减小(例如，将半导体工艺节点向着亚20nm节点缩小)，这允许更多的组件集成到给定区域。产生的增大的集成密度通常产生改进的集成电路，诸如具有减小的延迟的集成电路。然而，最小部件尺寸的减小和密度的增大可能导致制造的集成电路中的问题，该问题可能降低集成电路的良品率。

发明内容

针对现有技术的相关技术问题，本发明的目的在于提供一种结构，包括：

衬底；

栅极结构，位于所述衬底上方，所述栅极结构包括栅电极和栅极电介质，所述栅极结构在第一栅极结构侧壁和第二栅极结构侧壁之间横向延伸栅极横向距离；

第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层的顶面与所述栅电极的顶面共平面；以及

栅极保护盖，位于所述栅电极上方，所述栅极保护盖在第一盖侧壁和第二盖侧壁之间横向延伸，第一盖部分从所述栅极结构的中线朝向所述第一栅极结构的侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达所述第一盖侧壁，第二盖部分从所述中线朝向所述第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达所述第二盖侧壁，所述第一盖横向距离和所述第二盖横向距离为所述栅极横向距离的至少一半。

优选地，所述的结构进一步包括：沿着所述第一栅极结构侧壁的第一间隔件，以及沿着所述第二栅极结构侧壁的第二间隔件，所述第一间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第二间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第一间隔件和所述第二间隔件的每个均分别从所述第一栅极结构侧壁和所述第二栅极结构侧壁横向延伸间隔件横向距离，所述第一盖横向距离、所述第二盖横向距离或所述第一盖横向距离与所述第二盖横向距离的组合中的至少一个小于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离。

优选地，所述的结构进一步包括：沿着所述第一栅极结构侧壁的第一间隔件，以及沿着所述第二栅极结构侧壁的第二间隔件，所述第一间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第二间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第一间隔件和所述第二间隔件的每个均分别从所述第一栅极结构侧壁和所述第二栅极结构侧壁横向延伸间隔件横向距离，所述第一盖横向距离、所述第二盖横向距离或所述第一盖横向距离与所述第二盖横向距离的组合中的至少一个等于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离。

优选地，所述的结构进一步包括：沿着所述第一栅极结构侧壁的第一间隔件，以及沿着所述第二栅极结构侧壁的第二间隔件，所述第一间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第二间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第一间隔件和所述第二间隔件的每个均分别从所述第一栅极结构侧壁和所述第二栅极结构侧壁横向延伸间隔件横向距离，相应的邻近的栅极结构呈现分别从所述第一间隔件和所述第二间隔件开始的相应的间隙横向距离，所述第一盖横向距离、所述第二盖横向距离或所述第一盖横向距离与所述第二盖横向距离的组合中的至少一个大于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离并且小于或等于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离再加一半所述相应的间隙横向距离。

优选地，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁均垂直于所述第一介电层的顶面。

优选地，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于60°且小于90°。

优选地，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于30°且小于60°。

优选地，所述的结构进一步包括：

第二介电层，位于所述第一介电层和所述栅极保护盖上方；以及

接触件，穿过所述第二介电层和所述第一介电层到达衬底。

根据本发明的另一方面，本发明提供一种结构，包括：

半导体衬底；

栅电极，设置在所述半导体衬底上方；

栅极电介质，设置在所述栅电极和所述半导体衬底之间，并且沿所述栅电极的侧壁设置，栅极宽度位于所述栅极电介质的相对外部侧壁之间；

间隔件，设置在所述半导体衬底上方，并且沿所述栅极电介质的外部侧壁设置；

第一介电层，设置在所述半导体衬底上方，所述第一介电层、所述栅极电介质和所述栅电极的各自顶面共平面；以及