[发明专利]栅极保护盖及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，包括：

衬底；

栅极结构，位于所述衬底上方，所述栅极结构包括栅电极和栅极电介质，所述栅极结构在第一栅极结构侧壁和第二栅极结构侧壁之间横向延伸栅极横向距离；

第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层的顶面与所述栅电极的顶面共平面；以及

栅极保护盖，位于所述栅电极上方，所述栅极保护盖在第一盖侧壁和第二盖侧壁之间横向延伸，第一盖部分从所述栅极结构的中线朝向所述第一栅极结构的侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达所述第一盖侧壁，第二盖部分从所述中线朝向所述第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达所述第二盖侧壁；

沿着所述第一栅极结构侧壁的第一间隔件，以及沿着所述第二栅极结构侧壁的第二间隔件，所述第一间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第二间隔件设置在所述第一介电层和所述栅极结构之间，所述第一间隔件和所述第二间隔件的每个均分别从所述第一栅极结构侧壁和所述第二栅极结构侧壁向所述栅极结构外部横向延伸间隔件横向距离，相应的邻近的栅极结构呈现分别从所述第一间隔件和所述第二间隔件开始的相应的间隙横向距离，所述第一盖横向距离与所述第二盖横向距离两者均大于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离并且小于或等于所述间隔件横向距离加一半所述栅极横向距离再加一半所述相应的间隙横向距离。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁均垂直于所述第一介电层的顶面。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于60°且小于90°。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一盖侧壁和所述第二盖侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于30°且小于60°。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构，进一步包括：

第二介电层，位于所述第一介电层和所述栅极保护盖上方；以及

接触件，穿过所述第二介电层和所述第一介电层到达衬底。

6.一种晶体管结构，包括：

半导体衬底；

栅电极，设置在所述半导体衬底上方；

栅极电介质，设置在所述栅电极和所述半导体衬底之间，并且沿所述栅电极的侧壁设置，栅极宽度位于所述栅极电介质的相对外部侧壁之间；

间隔件，设置在所述半导体衬底上方，并且沿所述栅极电介质的外部侧壁设置；

第一介电层，设置在所述半导体衬底上方，所述第一介电层、所述栅极电介质和所述栅电极的各自顶面共平面；以及

保护盖，位于所述栅电极上方，所述保护盖具有盖宽度并且完全覆盖所述栅极电介质的顶面和所述栅电极的顶面；

其中，所述盖宽度大于所述栅极宽度加两倍的所述间隔件的间隔件宽度，且所述盖宽度小于或等于所述栅极宽度加邻近栅极结构的间隔件与一个所述间隔件之间的空隙再加两倍的所述间隔件的间隔件宽度。

7.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中，所述盖宽度位于所述保护盖的第一侧壁与所述保护盖的第二侧壁之间，所述第一侧壁和所述第二侧壁是垂直的。

8.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中，所述盖宽度位于所述保护盖的第一侧壁与所述保护盖的第二侧壁之间，所述第一侧壁和所述第二侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于60°并小于90°。

9.根据权利要求6所述的晶体管结构，其中，所述盖宽度位于所述保护盖的第一侧壁与所述保护盖的第二侧壁之间，所述第一侧壁和所述第二侧壁每个均与所述第一介电层的顶面形成角度，所述角度等于或大于30°并小于60°。