[发明专利]集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路

权利要求书

1.集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路，包括有二极管、电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及由PMOS晶体管与NMOS晶体管组成的反相器，其特征在于：

电阻                                               （4）的一端连接在电源上，另一端连接在二极管（2）的阳极，二极管（2）的阴极连接在二极管（3）的阳极，二极管（3）的阴极连接在二极管（1）的阳极，二极管（1）的阴极连接在二极管（2）的阳极，NMOS晶体管（16）的栅极连接在二极管（3）阴极上，NMOS晶体管（16）的漏极与源极接地；

PMOS晶体管（10）与NMOS晶体管（5）组成反相器（13），PMOS晶体管（11）与NMOS晶体管（6）组成反相器（14），PMOS晶体管（12）与NMOS晶体管（7）组成反相器（15），PMOS晶体管（10）、PMOS晶体管（11）与PMOS晶体管（12）的漏极连接电源，NMOS晶体管（5）、NMOS晶体管（6）与NMOS晶体管（7）的源极接地，反相器（13）输入端接二极管（2）的阳极，反相器（13）输出端连接反相器（14）的输入端，反相器（14）的输出端连接反相器（15）的输入端；

NMOS晶体管（8）的栅极连接反相器（15）的输出端，漏极连接电源，源极接地；

电阻（9）的一端连接NMOS晶体管（8）的栅极，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路，其特征在于：所述的NMOS晶体管（8）为BigFET晶体管。