[发明专利]具有嵌入式桥的集成电路封装有效

专利信息
申请号: 201410657812.3 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN104733436B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: R·V·玛哈简;C·J·尼尔森;O·G·卡哈德;F·艾德;N·A·德斯潘德;S·M·利夫 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 高见
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 嵌入式 集成电路 封装
【权利要求书】:

1.一种集成电路封装,包括:

分别具有第一和第二多个输入/输出I/O互连结构的第一管芯和第二管芯;以及

桥,其包括:

第一电路由特征,所述第一电路由特征电耦合至第一多个I/O互连结构的一部分;

第二电路由特征,所述第二电路由特征电耦合至第二多个I/O互连结构的一部分,所述第一和第二电路由特征设置在所述桥的第一侧上;以及

第三电路由特征,所述第三电路由特征设置在所述桥的与所述第一侧相对的第二侧上,其中所述第一电路由特征和所述第二电路由特征由所述桥的一个电路由耦合以在所述第一管芯和第二管芯之间路由电信号,以及所述第三电路由特征耦合到所述桥的所述电路由以在所述桥的所述第二侧和第一侧之间路由电信号,并且其中所述第一管芯、所述第二管芯、和所述桥至少部分地嵌入在电绝缘材料中,

其中,所述集成电路封装进一步包括具有多个管芯的存储器管芯堆叠,其中所述存储器管芯堆叠经由所述第三电路由特征接合至所述桥,并且其中所述桥为配置成执行存储器控制器的一个或多个功能的有源桥,以及其中所述存储器管芯堆叠也嵌入在电绝缘材料中。

2.如权利要求1所述的集成电路封装,其特征在于,所述桥进一步包括与所述第三电路由特征耦合并且被配置成在所述第二侧和第一侧之间路由电信号的硅通孔TSV。

3.如权利要求2所述的集成电路封装,其特征在于,进一步包括具有接合至所述第三电路由特征的第三多个I/O互连特征的第三管芯,其中所述第三管芯也嵌入在电绝缘材料中。

4.如权利要求3所述的集成电路封装,其特征在于,所述第三管芯进一步包括配置成与第四管芯的I/O互连结构接合的第四多个I/O互连结构。

5.如权利要求3所述的集成电路封装,其特征在于,所述桥为具有嵌入在其中的一个或多个逻辑特征的有源桥。

6.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,进一步包括第一功率管理模块和第二功率管理模块,其中所述第一管芯和第二管芯进一步分别包括第一功率互连结构和第二功率互连结构,并且其中所述第一功率管理模块经由所述第一功率互连结构接合至所述第一管芯,而所述第二功率管理模块经由所述第二功率互连结构接合至所述第二管芯,并且其中第一和第二功率管理模块也嵌入在电绝缘材料中。

7.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,进一步包括与所述第一和第二多个输入/输出I/O互连结构耦合的多个通孔,其中所述通孔设置在电绝缘材料中并且与所述桥共面。

8.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,所述电绝缘材料包括电绝缘材料的多个构建层,所述电绝缘材料具有嵌入在其中并且配置成将I/O信号路由通过所述电绝缘材料的一个或多个金属特征。

9.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,进一步包括分别与第一和第二管芯的第一和第二表面耦合的散热器,其中所述散热器形成集成电路封装的一侧。

10.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,所述电绝缘材料以及第一和第二管芯的第一和第二表面分别形成配置成与散热器集成的集成电路封装的平坦表面。

11.如权利要求1-5中的任一项所述的集成电路封装,其特征在于,所述第一或第二多个I/O互连结构中的一个或多个具有与电绝缘材料的表面共面的至少一个表面水平连接点,以允许所述集成电路封装物理连接且电连接至衬底或电路板中的一个。

12.如权利要求11所述的集成电路封装,其特征在于,所述至少一个表面水平连接点为形成于电绝缘材料中的通孔结构。

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