[发明专利]利用光学能量的表面制备在审
申请号: | 201410655279.7 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104658885A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | S·E·约翰森;K·斯特皮尔瑞;E·布瑞奥特 | 申请(专利权)人: | 森萨塔科技公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/50;H01L21/67;H01L23/15 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 光学 能量 表面 制备 | ||
1.一种方法,包括:
接收基材;
向基材的表面施加光学能量,光学能量的施加转变基材的表面上的材质;和
将补充材料粘附到表面上的经转变的材质。
2.如权利要求1所述的方法,其中,将补充材料粘附到表面上的经转变的材质包含:i)向经转变的材质施加包含玻璃粉末的糊剂;和ii)向该糊剂施加热,热的施加使施加的糊剂的玻璃粉末熔融成粘附到经转变的材质的玻璃层;和iii)使基材和玻璃层冷却;并且
将电子电路器件粘附到玻璃层的露出面上。
3.如权利要求2所述的方法,其中,施加到糊剂的热将玻璃粉末转变成熔融的玻璃,并且,
其中,经转变的表面材质基本上防止熔融的玻璃沿基材的表面流动。
4.如权利要求3所述的方法,其中,将电子电路器件粘附到玻璃层的露出面上包含:i)使电子电路器件与玻璃层的露出面接触;和ii)向电子电路器件、玻璃层和基材的组合施加热。
5.如权利要求1所述的方法,其中,向基材的表面施加光学能量包含:
接收限定基材的表面上的邻近区域的边界位置信息;和
在由边界位置信息规定的边界内施加光学脉冲序列,所述边界限定所述邻近区域。
6.如权利要求5所述的方法,其中,施加光学脉冲序列包含:
向所述邻近区域内的第一位置施加第一光学脉冲,第一光学脉冲在所述邻近区域中产生第一下陷;
向所述邻近区域内的第二位置施加第二光学脉冲,第二光学脉冲在所述邻近区域中产生第二下陷,第二下陷至少部分地与第一下陷重叠。
7.如权利要求1所述的方法,其中,施加光学能量包含:
跨着基材的表面扫描激光束,激光束传输光学脉冲序列以产生经转变的材质。
8.如权利要求1所述的方法,其中,施加光学能量包含:
跨着基材的表面沿第一方向扫描激光束;和
跨着基材的表面沿第二方向扫描激光束,第二方向关于第一方向实质上不平行。
9.如权利要求2所述的方法,其中,施加到糊剂的热将玻璃粉末转变成熔融的玻璃,并且,
其中,经转变的表面材质允许熔融的玻璃沿基材的表面流动。
10.如权利要求5所述的方法,其中,将补充材料粘附到表面上的经转变的材质包含:i)向由边界位置信息限定的所述邻近区域中的经转变的材质施加包含玻璃粉末的糊剂;和ii)向糊剂施加热,热的施加使玻璃粉末熔融成粘附到所述邻近区域中的经转变的材质的玻璃层;和iii)使基材和玻璃层冷却;
使电子电路器件与玻璃层的露出面接触;和
向电子电路器件、玻璃层和基材的组合施加热。
11.一种组件,包括:
基材;
通过光学能量的施加转变的基材的表面上的材质;和
粘附到所述表面上的经转变的材质的补充材料。
12.如权利要求11所述的组件,其中,粘附到所述表面上的经转变的材质的补充材料是施加到经转变的材质的包含玻璃粉末的糊剂,向糊剂施加热使施加的糊剂的玻璃粉末熔融成粘附到经转变的材质的玻璃层。
13.如权利要求12所述的组件,还包括:
粘附到玻璃层的露出面上的电子电路器件,所述露出面与玻璃层的粘附到经转变的材质的面相反。
14.如权利要求13所述的组件,其中,电子电路器件是集成电路器件,并且,
其中,基材由金属材料制成。
15.如权利要求11所述的组件,其中,经转变的材质驻留于基材的表面上的由边界位置信息限定的邻近区域内。
16.如权利要求15所述的组件,其中,邻近区域中的经转变的材质包含:
邻近区域内的第一位置中的第一光学地产生的下陷;和
邻近区域内的第二位置中的第二光学地产生的下陷,第二光学地产生的下陷与第一光学地产生的下陷重叠。
17.如权利要求11所述的组件,其中,基材的表面上的经转变的材质包含光学地产生的表面修改的图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造