[发明专利]薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板，具体包括一基板以及一薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，栅极设置于基板上，栅极介电层设置于栅极及基板上，该膜层设置于栅极介电层之上，且源极及漏极设置于该膜层上，并分别接触该膜层。其中，源极及漏极之间具有一间隔，且对应于间隔的该膜层具有一弧形凹部。以此，使得薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板具有较高元件可靠度，并可提高工艺良率。

技术领域

本发明关于一种薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板。

背景技术

随着科技的进步，平面显示面板已经广泛地被运用在各种领域，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记型电脑、液晶电视及液晶荧幕等等。

以液晶显示面板为例，已知一种液晶显示面板包含一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板及一液晶层，薄膜晶体管基板与彩色滤光基板相对而设，而液晶层夹置于薄膜晶体管基板与彩色滤光基板之间。其中，薄膜晶体管基板具有复数薄膜晶体管及复数像素电极设置于一基板上，并可通过控制该些薄膜晶体管而将像素数据输入该些像素电极，藉此可控制液晶层的液晶分子的转向而显示影像。

由于市场的快速竞争，显示面板及显示装置的尺寸与显示色彩饱和度的需求也快速增加，同时也增加对薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求。其中，以金属氧化物(Metaloxide-based,MOSs)作为半导体层材料的薄膜晶体管可在室温中制备，并且拥有良好的电流输出特性、较低的漏电流与高于非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon thin filmtransistor,a-Si TFT)十倍以上的电子迁移率，可分别降低显示面板的功率消耗与提升显示面板的操作频率，因此，已成为下一代显示面板及装置中主流的驱动元件。

然而，虽然金属氧化物半导体层具有较佳的电性，但是于薄膜晶体管的工艺过程中，当薄膜晶体管的源极或漏极的材料选用含有铝的材料的单层或多层金属层(例如氮化钼/铝/氮化钼的多层金属层)，并以湿法付蚀进行图案化时，刻蚀反应后的产物经后续的热工艺后，会对氧化物半导体的通道层造成损害，如图1所示，使得薄膜晶体管的起始电压由正常的曲线C1产生负偏而变成曲线C2，因此，将影响薄膜晶体管元件操作的可靠性，进而影响显示面板的可靠度。

因此，如何提供一种薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板，可具有较高的元件可靠度而提高工艺良率，已成为重要课题之一。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种可具有较高元件可靠度而提高工艺良率的薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板。

为达上述目的，依据本发明的一种薄膜晶体管基板，包括一基板以及一薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，栅极设置于基板上，栅极介电层设置于栅极上，该膜层设置于栅极介电层上，且源极及漏极设置于该膜层上，并分别接触该膜层。其中，源极及漏极之间具有一间隔，且对应于间隔的该膜层具有一弧形凹部。

为达上述目的，依据本发明的一种显示面板，包括一薄膜晶体管基板以及一对向基板。薄膜晶体管基板具有一基板及一薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，栅极设置于基板上，栅极介电层设置于栅极上，该膜层设置于栅极介电层上，且源极及漏极设置于该膜层上，并分别接触该膜层，源极及漏极之间具有一间隔，且对应于间隔的该膜层具有一弧形凹部。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置。

在一实施例中，该膜层为薄膜晶体管的一刻蚀阻挡层，且薄膜晶体管更包含一通道层，通道层的材料为金属氧化物半导体，并设置于栅极介电层上，且刻蚀阻挡层设置于通道层上。

在一实施例中，漏极及源极分别经由刻蚀阻挡层的一开口与通道层接触。