[发明专利]薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：

一基板；以及

一薄膜晶体管，设置于所述基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，所述栅极设置于所述基板上，所述栅极介电层设置于所述栅极上，所述膜层设置于所述栅极介电层上，且所述源极及所述漏极设置于所述膜层上，并分别接触所述膜层，

其中，所述源极及所述漏极之间具有一间隔，且对应于所述间隔的所述膜层具有一弧形凹部；所述膜层为所述薄膜晶体管的一刻蚀阻挡层，且所述薄膜晶体管更包含一通道层，所述通道层的材料为金属氧化物半导体，并设置于所述栅极介电层上，且所述刻蚀阻挡层设置于所述通道层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述漏极及所述源极分别经由所述刻蚀阻挡层的一开口与所述通道层接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，对应于所述间隔的所述刻蚀阻挡层的周缘区域具有一第一厚度，对应于所述间隔的所述刻蚀阻挡层的中间区域具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，邻近所述弧形凹部的所述源极或所述漏极与所述刻蚀阻挡层具有一接触区域，位于所述接触区域的所述刻蚀阻挡层于接近所述弧形凹部处更具有一第三厚度，且所述第三厚度大于所述第一厚度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第三厚度与所述第二厚度的差介于20埃至500埃之间。

6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

一薄膜晶体管基板，具有一基板及一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于所述基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，所述栅极设置于所述基板上，所述栅极介电层设置于所述栅极上，所述膜层设置于所述栅极介电层上，且所述源极及所述漏极设置于所述膜层上，并分别接触所述膜层，所述源极及所述漏极之间具有一间隔，且对应于所述间隔的所述膜层具有一弧形凹部；以及

一对向基板，与所述薄膜晶体管基板相对设置；

其中，所述膜层为所述薄膜晶体管的一刻蚀阻挡层，且所述薄膜晶体管更包含一通道层，所述通道层的材料为金属氧化物半导体，并设置于所述栅极介电层上，且所述刻蚀阻挡层设置于所述通道层上。