[发明专利]一种二极管芯片酸洗工艺

说明书

技术领域

本发明属于二极管领域，涉及一种二极管芯片酸洗工艺。

背景技术

根据二极管半导体生产原理，芯片要发挥作用时，必须经过酸腐蚀及酸钝化，二极管芯片的酸洗工艺包括一次酸洗，二次酸洗，氨水与双氧水混合清洗，最后水超声清洗。

目前一次酸洗中清洗液为硝酸、硫酸、氢氟酸以及冰醋酸的混合物；二次酸洗中清洗为磷酸、双氧水和水的混合物，由于焊料中存在Pb，一次酸洗时，会与清洗液中的硫酸反应形成硫酸铅PbSO_4，硫酸铅为不溶物，会吸附到芯片的侧面，影响硅片的质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高二极管电性能二极管芯片酸洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种二极管芯片酸洗工艺，其创新点在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗以及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125s，二次酸洗清洗时间70-78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH 和H₂SO₄的混合液，二次酸洗的清洗液为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液。

进一步地，所述一次酸洗液中HNO₃：HF：CH₃COOH 和H₂SO₄的体积比为9 :9 :12:4。

进一步地，所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的体积比为1:0.5~0.8:3:0.5~0.2，且H₂O₂与CH₃COOH总和为一个体积份。

进一步地，所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的体积比为1: 0.8:3:0.2。

本发明的优点在于：本发明的酸洗工艺中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用该冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸铅，避免硫酸铅会吸附到芯片的侧面，提高了二极管芯片的电性能。

具体实施方式

实施例1

本发明公开了一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125s，二次酸洗清洗时间70-78s；二次酸洗的清洗液体积组成为HNO₃：HF：CH₃COOH ：H₂SO₄= 9 :9 :12:4；二次酸洗的清洗液体积组成为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O：CH₃COOH= 1:0.5:3:0.5。

实施例2

一种二极管芯片酸洗工艺，该工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125s，二次酸洗清洗时间70-78s；二次酸洗的清洗液体积组成为HNO₃：HF：CH₃COOH ：H₂SO₄= 9 :9 :12:4；二次酸洗的清洗液体积组成为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O：CH₃COOH= 1:0.6:3:0.4。

实施例3