[发明专利]一种二极管芯片酸洗工艺有效
| 申请号： | 201410651917.8 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104399702A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡彤;张练佳;贲海蛟;梅余锋 | 申请（专利权）人： | 如皋市易达电子有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 酸洗 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110-125s，二次酸洗清洗时间70-78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO3、HF、CH3COOH 和H2SO4的混合液，二次酸洗的清洗液为H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液。
2.根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述一次酸洗液中HNO3：HF：CH3COOH 和H2SO4的体积比为9 :9 :12:4。
3.根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述二次酸洗液中H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的体积比为1:0.5~0.8:3:0.5~0.2，且H2O2与CH3COOH总和为一个体积份。
4.根据权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述二次酸洗液中H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的体积比为1: 0.8:3:0.2。
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