[发明专利]氮化硅膜和太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能发电技术领域，更为具体的说，涉及一种氮化硅膜的制作方法、太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光照直接转换为电能的半导体器件。由于太阳能电池的转换电能过程绿色环保，不会引起环境污染，而且太阳能又是可再生资源，因此在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种具有广阔发展前景的能源。

现有的太阳能电池在使用过程中，经常会受到强光照的影响，而在电池内部产生缺陷，使得太阳能电池的性能下降，转换效率降低，也就是发生光致衰减的情况。因此，制作出不受光影响、且转换效率稳定的太阳能电池片将会成为今后发展的趋势。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种氮化硅膜的制作方法、太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片，通过调整沉积氮化硅膜过程中氨气和硅烷气体的气体流量比值，以降低太阳能电池片的光致衰减程度，保证太阳能电池片的性能稳定。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种氮化硅膜的制作方法，包括：

获取一基板；

通过链式PECVD设备的工艺腔在基板表面沉积氮化硅膜；

其中，所述工艺腔提供的氨气和硅烷气体的气体流量比值范围为1.5～2.64，包括端点值，且沉积的所述氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。

优选的，采用4组气路或8组气路提供所述氨气和硅烷气体，且每组所述气路对应一微波源。

优选的，每组所述气路提供的氨气的气体流量范围为300sccm～500sccm，包括端点值；以及，

对应提供的硅烷气体的气体流量范围为115sccm～200sccm，包括端点值。

优选的，所述工艺腔内的温度范围为350℃～450℃，包括端点值。

优选的，所述微波源的微波射频功率范围为2500W～3400W，包括端点值。

优选的，所述工艺腔内压强范围为0.25mbar～0.3mbar，包括端点值。

优选的，所述基板传输速度范围为170cm/min～190cm/min，包括端点值。

一种太阳能电池片的制作方法，包括：

获取一经过边缘刻蚀工艺后的硅片；

根据上述的氮化硅膜的制作方法，对所述硅片沉积氮化硅膜；

在所述硅片上形成电极后得到太阳能电池片。

优选的，在获取一经过边缘刻蚀工艺的硅片后，且在对所述硅片沉积氮化硅膜前，制作方法还包括：

在所述硅片的沉积氮化硅膜区域形成AlO_x膜，或者，

在所述硅片的沉积氮化硅膜区域形成SiO₂膜。

一种太阳能电池片，所述太阳能电池片采用上述的太阳能电池片的制作方法制作而成，其中，所述太阳能电池片的氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具体以下优点：

本发明提供的一种氮化硅膜的制作方法、太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片，其中，在沉积氮化硅膜时，通过链式PECVD设备的工艺腔在基板表面沉积氮化硅膜；其中，所述工艺腔提供的氨气和硅烷气体的气体流量比值范围为1.5～2.64，包括端点值，且沉积的所述氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。

由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过调整氨气和硅烷气体的气体流量比值为1.5～2.64，在沉积氮化硅膜过程中，形成厚度范围为75nm～85nm、且折射率范围为2.15～2.35的氮化硅膜，有效的降低了太阳能电池片的光致衰减程度，进而提高了太阳能电池片的短路电流和开路电压，保证了太阳能电池片的性能稳定。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种氮化硅膜的制作方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的一种太阳能电池片的制作方法的流程图；