[发明专利]氮化硅膜和太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片在审
| 申请号： | 201410648394.1 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104409338A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 马继奎;崔景光;李永超;闫英丽;安海娇 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种氮化硅膜的制作方法，其特征在于，包括：
获取一基板；
通过链式PECVD设备的工艺腔在基板表面沉积氮化硅膜；
其中，所述工艺腔提供的氨气和硅烷气体的气体流量比值范围为1.5～2.64，包括端点值，且沉积的所述氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，采用4组气路或8组气路提供所述氨气和硅烷气体，且每组所述气路对应一微波源。
3.根据权利要求2所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，每组所述气路提供的氨气的气体流量范围为300sccm～500sccm，包括端点值；以及，
对应提供的硅烷气体的气体流量范围为115sccm～200sccm，包括端点值。
4.根据权利要求2所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，所述工艺腔内的温度范围为350℃～450℃，包括端点值。
5.根据权利要求2所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，所述微波源的微波射频功率范围为2500W～3400W，包括端点值。
6.根据权利要求2所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，所述工艺腔内压强范围为0.25mbar～0.3mbar，包括端点值。
7.根据权利要求2所述的氮化硅膜的制作方法，其特征在于，所述基板传输速度范围为170cm/min～190cm/min，包括端点值。
8.一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：
获取一经过边缘刻蚀工艺后的硅片；
根据权利要求1～7任意一项所述的氮化硅膜的制作方法，对所述硅片沉积氮化硅膜；
在所述硅片上形成电极后得到太阳能电池片。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在获取一经过边缘刻蚀工艺的硅片后，且在对所述硅片沉积氮化硅膜前，制作方法还包括：
在所述硅片的沉积氮化硅膜区域形成AlOx膜，或者，
在所述硅片的沉积氮化硅膜区域形成SiO2膜。
10.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片采用权利要求8或9所述的太阳能电池片的制作方法制作而成，其中，所述太阳能电池片的氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
